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SiC コーティングされた ICP コンポーネント

Semicorex の SiC コーティング ICP コンポーネントは、エピタキシーや MOCVD などの高温ウェーハハンドリングプロセス向けに特別に設計されています。微細な SiC 結晶コーティングを施した当社のキャリアは、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を備えています。

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プラズマエッチングチャンバー用の高温SiCコーティング

エピタキシーや MOCVD などのウェーハハンドリングプロセスに関しては、Semicorex のプラズマエッチングチャンバー用高温 SiC コーティングが第一の選択肢です。当社のキャリアは、微細な SiC 結晶コーティングにより、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を備えています。

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ICPプラズマエッチングトレイ

Semicorex の ICP プラズマエッチングトレイは、エピタキシーや MOCVD などの高温ウェーハハンドリングプロセス向けに特別に設計されています。当社のキャリアは、最大 1600°C までの安定した高温酸化耐性を備えており、均一な熱プロファイル、層流ガスフローパターンを提供し、汚染や不純物の拡散を防ぎます。

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ICPプラズマエッチング装置

Semicorex の ICP プラズマエッチングシステム用 SiC コーティングキャリアは、エピタキシーや MOCVD などの高温ウェーハハンドリングプロセスにとって信頼性が高くコスト効率の高いソリューションです。当社のキャリアは、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を提供する微細な SiC 結晶コーティングを備えています。

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誘導結合プラズマ (ICP)

Semicorex の誘導結合プラズマ (ICP) 用炭化ケイ素でコーティングされたサセプタは、エピタキシーや MOCVD などの高温ウェーハハンドリングプロセス用に特別に設計されています。当社のキャリアは、最大 1600°C の安定した高温酸化耐性を備えており、均一な熱プロファイル、層流ガスフローパターンを保証し、汚染や不純物の拡散を防ぎます。

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ICPエッチングウェーハホルダー

Semicorex の ICP エッチングウェーハホルダーは、エピタキシーや MOCVD などの高温ウェーハハンドリングプロセスに最適なソリューションです。当社のキャリアは、最大 1600°C までの安定した高温酸化耐性を備えており、均一な熱プロファイル、層流ガスフローパターンを保証し、汚染や不純物の拡散を防ぎます。

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