炭化ケイ素セラミック (SiC) は、ケイ素と炭素を含む先進的なセラミック素材です。炭化ケイ素の粒子は焼結によって結合し、非常に硬いセラミックを形成します。 Semicorex は、お客様のご要望に応じてカスタム炭化ケイ素セラミックを供給します。
アプリケーション
炭化ケイ素セラミックでは、1,400°C を超える温度まで材料特性が一定に保たれます。 400 GPa を超える高いヤング率により、優れた寸法安定性が保証されます。
炭化ケイ素コンポーネントの一般的な用途は、ポンプや駆動システムなど、摩擦ベアリングやメカニカル シールを使用するダイナミック シール技術です。
炭化ケイ素セラミックは、その高度な特性により、半導体産業での使用にも最適です。
ウエハーボート →
Semicorex Wafer Boat は焼結炭化ケイ素セラミック製で、耐腐食性が高く、高温や熱衝撃に対する優れた耐性を備えています。高度なセラミックは、大容量ウェーハキャリアの粒子や汚染物質を軽減しながら、優れた耐熱性とプラズマ耐久性を実現します。
反応焼結炭化ケイ素
反応焼結は他の焼結法に比べて緻密化時の寸法変化が小さく、高精度な寸法の製品を製造することができます。しかしながら、焼結体中に多量のSiCが存在すると、反応焼結SiCセラミックスの高温性能が悪化する。
無加圧焼結炭化ケイ素
無加圧焼結炭化ケイ素 (SSiC) は、特に軽量であると同時に硬い高性能セラミックです。 SSiC は、極端な温度でもほぼ一定に保たれる高い強度が特徴です。
再結晶炭化ケイ素
再結晶炭化ケイ素(RSiC)は、高純度炭化ケイ素粗粉と高活性炭化ケイ素微粉を混合し、注入後2450℃で真空焼結して再結晶させた次世代材料です。
Semicorex SiC コーティングされたガス分流ディスクは、半導体エピタキシャル装置に適用される不可欠なグラファイト コンポーネントであり、反応ガスの流れを調整し、反応チャンバー内の均一なガス分布を促進するように特別に設計されています。 Semicorex を選択し、高品質のウェーハ エピタキシャル結果を得るために最適なガス分流ソリューションを選択してください。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex SiC ウェーハキャリアは、3D プリント技術により高純度の炭化ケイ素セラミックで作られているため、短時間で高貴な機械加工コンポーネントを実現できます。 Semicorex は、世界中のお客様に認定された高品質の製品を提供するとみなしています。*
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex CVD SiC コーティングされた上部接地リングは、高度なプラズマ エッチング装置用に特別に設計された重要なリング状コンポーネントです。セミコレックスは、業界をリードする半導体コンポーネントのサプライヤーとして、高品質、長寿命、超クリーンな CVD SiC コーティングの上部接地リングの提供に注力し、大切なお客様の業務効率と全体的な製品品質の向上を支援します。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex 炭化ケイ素ピン チャックは、フォトリソグラフィーおよびボンディング プロセスでのウェーハの固定と固定のために特別に設計された、精密に製造された高性能の真空吸着治具です。 Semicorex を選択すると、半導体プロセスの歩留まりと効率の向上に役立つ最適な吸着ソリューションが得られることになります。
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