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中国 SiCウェハ メーカー、サプライヤー、工場

半導体材料の薄いスライスはウェーハと呼ばれ、非常に純粋な単結晶材料で構成されています。チョクラルスキー法では、融液から種結晶を引き上げることにより、高純度の単結晶半導体の円筒形インゴットが製造されます。


炭化ケイ素 (SiC) とそのポリタイプは、長い間人類文明の一部でした。この硬くて安定した化合物の技術的関心は、1885 年と 1892 年にカウレス社とアチソン社によって研削と切断の目的で実現され、大規模な製造につながりました。


優れた物理的および化学的特性により、炭化ケイ素 (SiC) は、高温、高出力、高周波および光電子デバイス、核融合炉の構造部品、ガス冷却用のクラッド材料など、さまざまな用途の有力な候補となっています。核分裂炉、および Pu の核変換のための不活性マトリックス。 3C、6H、4H などのさまざまなポリタイプの SiC が広く使用されています。イオン注入は、Si ベースのデバイスの製造にドーパントを選択的に導入し、p 型および n 型の SiC ウェーハを製造するための重要な技術です。


インゴット次に、炭化ケイ素SiCウェーハを形成するためにスライスされます。


炭化ケイ素の材料特性

ポリタイプ

単結晶4H

結晶構造

六角

バンドギャップ

3.23eV

熱伝導率 (n型; 0.020 ohm-cm)

a~4.2 W/cm – K @ 298 K

c~3.7 W/cm – K @ 298 K

熱伝導率 (HPSI)

a~4.9 W/cm – K @ 298 K

c~3.9 W/cm – K @ 298 K

格子パラメータ

a=3.076Å

c=10.053Å

モース硬度

~9.2

密度

3.21g/cm3

サーム。膨張係数

4~5×10-6/K


さまざまな種類のSiCウェーハ

次の 3 つのタイプがあります。n型SICウェーハ, p型SICウェーハ高純度半絶縁性SICウェーハ。ドーピングとは、シリコン結晶に不純物を導入するイオン注入を指します。これらのドーパントは結晶の原子にイオン結合を形成させ、かつては固有だった結晶を非固有のものにします。このプロセスでは 2 種類の不純物が導入されます。 N型とP型。それがどのような種類になるかは、化学反応を起こすために使用される材料によって異なります。 N 型と P 型の SiC ウェハの違いは、ドーピング中に化学反応を引き起こすために使用される主な材料です。使用される材料に応じて、外側の軌道には 5 つまたは 3 つの電子があり、1 つは負に帯電し (N 型)、もう 1 つは正に帯電します (P 型)。


N型SiCウェーハは、主に新エネルギー自動車、高電圧送変電所、白物家電、高速列車、モーター、太陽光発電インバータ、パルス電源などに使用されています。設備のエネルギー損失を低減し、エネルギー効率を向上させるという利点があります。機器の信頼性の向上、機器の小型化、性能の向上など、パワーエレクトロニクス機器の製造においてかけがえのない利点があります。


高純度の半絶縁性 SiC ウェハは、主に高出力 RF デバイスの基板として使用されます。


エピタキシー - III-V 族窒化物堆積

SiC基板またはサファイア基板上のSiC、GaN、AlxGa1-xNおよびInyGa1-yNエピタキシャル層。






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3C-SiCウェハ基板

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Semicorex 3C-SiCウェハ基板は立方晶系SiCで作られています。当社は長年にわたり半導体ウェーハの製造および供給を行ってきました。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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8インチN型SiCウェハ

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