12インチの半断熱SIC基質

Semicorex 12インチの半挿入SIC基質は、次世代半導体材料のブレークスルーを表しており、高周波、高出力、および放射線耐性アプリケーションの比類のない性能を提供します。高度なRF、マイクロ波、およびパワーデバイスの製造用に設計されたこれらの大径SIC基質により、優れたデバイスの効率、信頼性、およびスケーラビリティが可能になります。

当社の12インチの半断熱SIC基質は、高度な成長および加工技術を使用して高度と最小限の欠陥密度を実現しています。抵抗率は通常10°ω・cmを超えると、寄生伝導を効果的に抑制し、最適なデバイスの分離を確保します。この材料は、優れた熱伝導率（> 4.5 w/cm・k）、優れた化学物質の安定性、および高い分解電界強度を示し、環境や最先端の​​デバイスアーキテクチャに最適です。

炭化シリコン（SIC）は、炭素とシリコンで構成される複合半導体材料です。これは、高温、高周​​波、高電力、高電圧デバイスを作成するのに理想的な材料の1つです。従来のシリコン材料（SI）と比較して、炭化シリコンのバンドギャップ幅はシリコンの3倍です。熱伝導率はシリコンの4〜5倍です。破壊電圧はシリコンの8〜10倍です。電子飽和ドリフト速度は、シリコンの2〜3倍であり、高出力、高電圧、高頻度に対する現代の産業のニーズを満たしています。これは、主に高速、高周波、高出力、光発光電子部品を作るために使用されます。下流のアプリケーションエリアには、スマートグリッド、新しいエネルギー車両、太陽光発電、5G通信などがあります。電力デバイスの分野では、炭化シリコンダイオードとMOSFETが商業用途を開始しました。

シリコン炭化物産業チェーンには、主に基質、エピタキシー、デバイスの設計、製造、包装、テストが含まれています。材料から半導体電源装置まで、炭化シリコンは単結晶の成長、インゴットスライシング、エピタキシャルの成長、ウェーハ設計、製造、包装、その他のプロセスフローを通過します。シリコン炭化物粉末の合成後、最初に炭化物のインゴットが作られた後、スライス、研削、研磨によって炭化シリコン基質が得られ、エピタキシャルの成長が行われ、エピタキシャルウェーハが得られます。エピタキシャルウェーハは、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン着床、金属の不動態化などのプロセスにさらされ、炭化シリコンのウェーハを取得します。デバイスを組み合わせて、モジュールに組み立てるために特別なハウジングに入れられます。

電気化学的特性の観点から見ると、炭化シリコン基質材料は、導電性基質（抵抗率範囲15〜30mΩ・cm）および半断熱基質（抵抗率が105Ω・cmを超える）に分割できます。これらの2種類の基質は、エピタキシャルの成長後に電力デバイスや無線周波数デバイスなどの離散デバイスを製造するために使用されます。その中で、12インチの半挿入SIC基質は、主に窒化ガリウム無線周波数装置、光電子装置などを製造するために使用されます。 hemtとして。導電性炭化シリコン基板は、主に電力装置の製造に使用されます。従来のシリコンパワーデバイスの製造プロセスとは異なり、シリコンカーバイド電源装置は、シリコン炭化物基板上で直接製造できません。シリコン炭化物のエピタキシャル層を導電性基板上に栽培して、炭化シリコンのエピタキシャルウェーハを取得し、エピタキシャル層にSchottkyダイオード、MOSFET、IGBT、およびその他の電力装置を製造する必要があります。