6インチN型SiCウェハ

セミコレックスでは、さまざまなタイプの 4H および 6H SiC ウェーハを提供しています。当社は長年にわたりウェーハの製造および供給を行ってきました。当社の二重研磨 6 インチ N 型 SiC ウェーハは、価格面での利点があり、ヨーロッパおよびアメリカ市場のほとんどをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex は、N 型、P 型、高純度の半絶縁性ウェーハを備えた 4H および 6H 基板を含む完全な炭化ケイ素 (SiC) ウェーハ製品ラインを備えており、エピタキシーの有無にかかわらず対応できます。当社の 4 インチ N 型 SiC (炭化ケイ素) 基板は、N 型ドーピングを施した炭化ケイ素の単結晶を二重研磨して作られた高品質ウェハの一種です。

6インチN型SiCウェーハは主に新エネルギー自動車、高電圧送変電所、白物家電、高速列車、電気モーター、太陽光発電インバーター、パルス電源などの分野で使用されており、設備を削減できるという利点があります。エネルギー損失の低減、機器の信頼性の向上、機器の小型化、機器の性能の向上など、パワーエレクトロニクス機器の製造においてかけがえのない利点があります。

アイテム	生産	研究	ダミー
クリスタルパラメータ
ポリタイプ	4時間
面方位エラー	<11-20 >4±0.15°
電気的パラメータ
ドーパント	n型窒素
抵抗率	0.015～0.025Ω・cm
機械的パラメータ
直径	150.0±0.2mm
厚さ	350±25μm
プライマリフラット方向	[1-100]±5°
一次平坦長さ	47.5±1.5mm
二次フラット	なし
TTV	≤5μm	≤10μm	≤15μm
LTV	≤3μm(5mm*5mm)	≤5μm(5mm*5mm)	≤10μm(5mm*5mm)
弓	-15μm～15μm	-35μm～35μm	-45μm～45μm
ワープ	≤35μm	≤45μm	≤55μm
表面(Si面)粗さ(AFM)	Ra≦0.2nm (5μm*5μm)
構造
マイクロパイプ密度	<1ea/cm2	<10ea/cm2	<15 ea/cm2
金属不純物	≤5E10原子/cm2		それ
境界性パーソナリティ障害	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	それ
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	それ
フロント品質
フロント	そして
表面仕上げ	Si面CMP
粒子	≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm)	それ
傷	≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径	累積長さ≤2*直径	それ
オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染	なし		それ
エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート	なし
ポリタイプ領域	なし	累積面積≤20%	累積面積≤30%
前面レーザーマーキング	なし
バック品質
裏面仕上げ	C面CMP
傷	≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径	それ
裏面欠陥（エッジ欠け/凹み）	なし
裏面粗さ	Ra≦0.2nm (5μm*5μm)
背面レーザーマーキング	1mm（上端から）
角
角	面取り
包装
包装	真空包装でエピ対応可能マルチウエハカセットパッケージング
※注：「NA」は要望なしを意味します。記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。