Semicorex グラファイト センター プレートまたは MOCVD サセプタは、化学気相成長 (CVD) 法によってコーティングされた高純度の炭化ケイ素で、ウェーハ チップ上にエピタキシャル層を成長させるプロセスで使用されます。 SiC コーティングされたサセプタは MOCVD に不可欠な部品であるため、優れた耐熱性、耐薬品性、および高い熱均一性が求められます。当社は、これらの要求の厳しいエピタキシー装置アプリケーション向けに特別に設計しました。
Semicorex 1x2 インチ グラファイト ウェハ サセプタは、2 インチ ウェハ用に特別に設計された高性能搬送コンポーネントで、半導体ウェハのエピタキシャル プロセスに最適です。業界をリードする材料純度、精密エンジニアリング、および要求の厳しいエピタキシャル成長環境における比類のない信頼性を備えた Semicorex をお選びください。
続きを読むお問い合わせを送信SiC コーティングされたグラファイト MOCVD サセプタは、有機金属化学気相成長 (MOCVD) 装置で使用される重要なコンポーネントであり、ウェーハ基板の保持と加熱を担当します。優れた熱管理、耐薬品性、寸法安定性により、SiC コーティングされたグラファイト MOCVD サセプタは、高品質のウェーハ基板エピタキシーに最適なオプションとみなされています。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex 6 "ウェーハホルダーは、SICエピタキシャル成長の厳しい需要のために設計された高性能キャリアです。一致しない材料の純度、精密工学、および高温の高収量SICプロセスにおける実証済みの信頼性については、セミコレックスを選択します。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex MOCVD ウェハホルダーは、SiC エピタキシー成長に不可欠なコンポーネントであり、優れた熱管理、耐薬品性、寸法安定性を提供します。 Semicorex のウェーハホルダーを選択すると、MOCVD プロセスのパフォーマンスが向上し、製品の品質が向上し、半導体製造業務の効率が向上します。 *
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex が開発した Semicorex MOCVD 3x2 インチ サセプタは、革新性とエンジニアリングの卓越性の頂点を表しており、特に現代の半導体製造プロセスの複雑な要求を満たすように調整されています。**
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex SiC コーティング リングは、半導体エピタキシー プロセスの厳しい環境において重要なコンポーネントです。最高品質の製品を競争力のある価格で提供するという確固たるコミットメントにより、当社はお客様の中国における長期的なパートナーとなる準備ができています。*
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