Semicorex グラファイト センター プレートまたは MOCVD サセプタは、化学気相成長 (CVD) 法によってコーティングされた高純度の炭化ケイ素で、ウェーハ チップ上にエピタキシャル層を成長させるプロセスで使用されます。 SiC コーティングされたサセプタは MOCVD に不可欠な部品であるため、優れた耐熱性、耐薬品性、および高い熱均一性が求められます。当社は、これらの要求の厳しいエピタキシー装置アプリケーション向けに特別に設計しました。
Semicorex MOCVD ウェハホルダーは、SiC エピタキシー成長に不可欠なコンポーネントであり、優れた熱管理、耐薬品性、寸法安定性を提供します。 Semicorex のウェーハホルダーを選択すると、MOCVD プロセスのパフォーマンスが向上し、製品の品質が向上し、半導体製造業務の効率が向上します。 *
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex が開発した Semicorex MOCVD 3x2 インチ サセプタは、革新性とエンジニアリングの卓越性の頂点を表しており、特に現代の半導体製造プロセスの複雑な要求を満たすように調整されています。**
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex SiC コーティング リングは、半導体エピタキシー プロセスの厳しい環境において重要なコンポーネントです。最高品質の製品を競争力のある価格で提供するという確固たるコミットメントにより、当社はお客様の中国における長期的なパートナーとなる準備ができています。*
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex の品質と革新への取り組みは、SiC MOCVD カバーセグメントに明らかです。信頼性が高く、効率的で高品質な SiC エピタキシーを可能にすることで、次世代半導体デバイスの機能を進化させる上で重要な役割を果たします。**
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex SiC MOCVD インナー セグメントは、炭化ケイ素 (SiC) エピタキシャル ウェーハの製造に使用される有機金属化学気相成長 (MOCVD) システムに不可欠な消耗品です。 SiC エピタキシーの厳しい条件に耐えられるように精密に設計されており、最適なプロセス パフォーマンスと高品質の SiC エピ層を保証します。**
続きを読むお問い合わせを送信MOCVD 用 Semicorex SiC ウェハ サセプタは、精度と革新性の模範であり、ウェハ上への半導体材料のエピタキシャル堆積を容易にするために特別に作られています。このプレートの優れた材料特性により、高温や腐食環境などのエピタキシャル成長の厳しい条件に耐えることができ、高精度の半導体製造に不可欠なものとなっています。私たちセミコレックスは、品質とコスト効率を融合したMOCVD用の高性能SiCウェハサセプタの製造と供給に専念しています。
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