MOCVD 3x2'' レシーバー

Semicorex MOCVD 3x2 インチ サセプタは、炭化ケイ素 (SiC) による綿密なコーティング プロセスを経た超高純度グラファイト グレードを使用して作られています。この SiC コーティングは複数の重要な機能を果たし、特に基板への極めて効率的な熱伝達を可能にします。効率的な熱伝達は、基板全体に均一な温度分布を達成し、それによって半導体デバイスの製造に不可欠な均一で高品質の薄膜堆積を保証するために非常に重要です。

MOCVD 3x2 インチ サセプタの設計上の重要な考慮事項の 1 つは、グラファイト基板と炭化ケイ素コーティングの間の熱膨張係数 (CTE) の適合性です。当社の超高純度グラファイトの熱膨張特性は、炭化ケイ素の熱膨張特性と注意深く一致しています。この互換性により、MOCVD プロセスに固有の高温サイクル中の熱応力や潜在的な変形のリスクが最小限に抑えられます。熱応力下で構造の完全性を維持することは、一貫した性能と信頼性にとって不可欠であり、それによって半導体ウェーハの欠陥の可能性が低減されます。

熱的適合性に加えて、MOCVD 3x2 インチ サセプタは、MOCVD プロセスで一般的に使用される前駆体化学物質にさらされた場合でも、堅牢な化学的不活性を示すように設計されています。この不活性性は、汚染を引き起こし、堆積膜の純度や品質に悪影響を与える可能性があるサセプタと前駆体間の化学反応を防ぐために非常に重要です。サセプタは化学的適合性を確保することにより、薄膜と半導体デバイス全体の完全性を維持するのに役立ちます。

Semicorex MOCVD 3x2 インチ サセプタの製造プロセスには高精度の機械加工が含まれており、各ユニットが厳しい品質と寸法精度基準を満たしていることが保証されます。各サセプターは包括的な三次元検査を受け、その精度と設計仕様への適合性が検証されます。この厳格な品質管理プロセスにより、基板が確実かつ均一に保持されることが保証されます。これは、ウェーハ表面全体に均一な蒸着を達成するために最も重要です。堆積の均一性は、最終的な半導体デバイスの性能と信頼性にとって非常に重要です。

ユーザーの利便性は、MOCVD 3x2 インチ サセプターの設計のもう 1 つの基礎です。サセプタは基板のロードとアンロードを容易にするように設計されており、作業効率が大幅に向上します。この取り扱いの容易さにより、製造プロセスがスピードアップするだけでなく、ロードおよびアンロード中に基板が損傷するリスクが最小限に抑えられるため、全体の歩留まりが向上し、ウェーハの破損や欠陥に関連するコストが削減されます。

さらに、MOCVD 3x2 インチ サセプタは、残留物や汚染物質を除去するための洗浄作業中によく使用される強酸に対して優れた耐性を示します。この耐酸性により、複数の洗浄サイクルにわたってサセプタの構造的完全性と性能特性が維持されます。その結果、サセプタの動作寿命が延長され、総所有コストの削減に貢献し、長期にわたり一貫したパフォーマンスが保証されます。

要約すると、Semicorex の MOCVD 3x2 インチ サセプタは、優れた熱伝達効率、熱的および化学的適合性、高精度加工、ユーザーフレンドリーな設計、堅牢な酸など、多くの利点を提供する非常に洗練された先進的なコンポーネントです。抵抗。これらの機能により、半導体製造プロセスにおいて不可欠なツールとなり、高品質で信頼性が高く、効率的な半導体ウェーハの生産が保証されます。先進的な MOCVD 3x2 インチ サセプタを自社のプロセスに統合することで、半導体メーカーはより高い歩留まり、より優れたデバイス性能、よりコスト効率の高い生産サイクルを達成できます。