エピタキシャル成長用MOCVDサセプタ

Semicorex は、エピタキシャル成長用 MOCVD サセプタの大手サプライヤーおよびメーカーです。当社の製品は、半導体産業、特にウェーハチップ上のエピタキシャル層の成長で広く使用されています。当社のサセプタは、MOCVD のセンタープレートとして使用されるように設計されており、ギアまたはリング状のデザインが施されています。耐熱性、耐食性が高く、過酷な環境でも安定して使用できます。

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製品説明

当社のエピタキシャル成長用MOCVDサセプタの利点の一つは、全面に確実にコーティングを施し、剥離を防止できることです。耐高温酸化性を有しており、1600℃までの高温でも安定です。当社製品の高純度は、高温塩素化条件下での CVD 化学蒸着によって実現されます。微細な粒子で緻密な表面により、製品は酸、アルカリ、塩、有機試薬に対して高い耐腐食性を備えています。
当社のエピタキシャル成長用 MOCVD サセプタは、最適な層流ガスフローパターンを実現し、熱プロファイルの均一性を確保するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上で高品質のエピタキシャル成長が保証されます。
当社のエピタキシャル成長用 MOCVD サセプタの詳細については、今すぐお問い合わせください。

エピタキシャル成長用MOCVDサセプタのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
Thermal Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300

エピタキシャル成長用MOCVDサセプタの特長

- 剥がれを避け、すべての表面を確実にコーティングしてください。
高温酸化耐性：1600℃までの高温でも安定
高純度: 高温塩素化条件下での CVD 化学蒸着によって製造されます。
耐食性：高硬度、緻密な表面、微細な粒子。
耐食性: 酸、アルカリ、塩および有機試薬。
- 最適な層流ガス流パターンを実現
- 熱プロファイルの均一性を保証
- 汚染や不純物の拡散を防止します。