現在、ほとんどの SiC 基板メーカーは、多孔質黒鉛シリンダーを備えた新しいるつぼ熱場プロセス設計を使用しています。つまり、高純度の SiC 粒子原料を黒鉛るつぼ壁と多孔質黒鉛シリンダーの間に配置し、るつぼ全体を深くし、るつぼの直径を大きくしています。
化学蒸着 (CVD) とは、さまざまな分圧の複数のガス状反応物質が特定の温度と圧力条件下で化学反応を起こすプロセス技術を指します。得られた固体物質は基板材料の表面に堆積し、それによって所望の薄膜が得られる。従来の集積回路製造プロセスでは、得られる薄膜材料は一般に、酸化物、窒化物、炭化物などの化合物、または多結晶シリコン、アモルファスシリコンなどの材料です。
現代のエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス、情報技術分野では、半導体基板とエピタキシャル技術が不可欠です。これらは、高性能、高信頼性の半導体デバイスを製造するための強固な基盤を提供します。技術が進歩し続けるにつれて、半導体基板とエピタキシャル技術も進歩し、半導体産業の将来に新たなブレークスルーと発展をもたらすでしょう。
Semicorex の SiC 結晶成長炉コンポーネントである多孔質黒鉛バレルは 3 つの大きな利点をもたらし、国内 SiC 基板の競争力を効果的に強化できます。
このほど当社は、キャスト法による6インチ酸化ガリウム単結晶の開発に成功し、国内工業企業として初めて6インチ酸化ガリウム単結晶基板作製技術を習得したと発表した。
単結晶シリコンの成長プロセスは主に熱場内で発生し、熱環境の質が結晶の品質と成長効率に大きな影響を与えます。熱場の設計は、炉室内の温度勾配とガスの流れのダイナミクスを形成する上で極めて重要な役割を果たします。さらに、熱場の構築に使用される材料は、その寿命と性能に直接影響します。