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会社のニュース

SiC結晶成長における多孔質黒鉛材料の重要性

Semicorex の SiC 結晶成長炉コンポーネントである多孔質黒鉛バレルは 3 つの大きな利点をもたらし、国内 SiC 基板の競争力を効果的に強化できます。

初の6インチ酸化ガリウム基板工業化企業

このほど当社は、キャスト法による6インチ酸化ガリウム単結晶の開発に成功し、国内工業企業として初めて6インチ酸化ガリウム単結晶基板作製技術を習得したと発表した。

熱場断熱材

単結晶シリコンの成長プロセスは主に熱場内で発生し、熱環境の質が結晶の品質と成長効率に大きな影響を与えます。熱場の設計は、炉室内の温度勾配とガスの流れのダイナミクスを形成する上で極めて重要な役割を果たします。さらに、熱場の構築に使用される材料は、その寿命と性能に直接影響します。

SiCコーティンググラファイトサセプタとは何ですか?

SiC コーティングされたグラファイトサセプターを導入するには、その用途を理解することが重要です。デバイスを製造する場合、一部のウェーハ基板上にさらにエピタキシャル層を構築する必要があります。

炭化ケイ素基板製造の課題は何ですか?

炭化ケイ素 (SiC) は、ダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素などの他の硬質材料と同様に、高い結合エネルギーを持つ材料です。ただし、SiC は結合エネルギーが高いため、従来の溶融方法でインゴットに直接結晶化することが困難です。したがって、炭化ケイ素結晶を成長させるプロセスには、気相エピタキシー技術の使用が含まれます。

炭化ケイ素 (SiC) とは何ですか?

半導体材料は時系列に応じて 3 つの世代に分類できます。ゲルマニウム、シリコン、その他の一般的なモノマテリアルの第 1 世代。便利なスイッチングが特徴で、一般に集積回路で使用されます。ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体の第2世代で、主に発光材料や通信材料に使用されます。

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