SiCウエハを支えるトレイ(台)は「サセプタ」とも呼ばれ、半導体製造装置の中核部品です。そして、ウェーハを運ぶこのサセプターは一体何なのでしょうか?
処理対象のウェーハのバッチを搭載したウェーハ ボートは、長い片持ち梁のパドル上に配置されます。
最近測定されたバルク 3C-SiC の熱伝導率は、インチスケールの大型結晶の中で 2 番目に高く、ダイヤモンドのすぐ下にランクされています。炭化ケイ素 (SiC) は、電子用途で広く使用されているワイドバンドギャップ半導体であり、ポリタイプとして知られるさまざまな結晶形で存在します。局所的な高い熱流束を管理することは、デバイスの過熱や長期的なパフォーマンスと信頼性の問題につながる可能性があるため、パワー エレクトロニクスにおける重要な課題です。