SiC コーティングされたグラファイト MOCVD サセプタは、有機金属化学気相成長 (MOCVD) 装置で使用される重要なコンポーネントであり、ウェーハ基板の保持と加熱を担当します。優れた熱管理、耐薬品性、寸法安定性により、SiC コーティングされたグラファイト MOCVD サセプタは、高品質のウェーハ基板エピタキシーに最適なオプションとみなされています。 ウェーハの製造では、MOCVD 技術を使用してウェーハ基板の表面にエピタキシャル層を構築し、高度な半導体デバイスの製造に備えます。エピタキシャル層の成長は複数の要因の影響を受けるため、ウェーハ基板を直接 MOCVD 装置に配置して堆積させることはできません。 SiC コーティングされたグラファイト MOCVD サセプタは、ウェハ基板を保持して加熱し、エピタキシャル層の成長のための安定した熱条件を作り出すために必要です。したがって、SiC コーティングされたグラファイト MOCVD サセプタの性能は、薄膜材料の均一性と純度を直接決定し、ひいては先進的な半導体デバイスの製造に影響を与えます。
続きを読むお問い合わせを送信SiC コーティングされたグラファイトるつぼは、炭化ケイ素でコーティングされたグラファイト材料から精密機械加工された必須の容器であり、優れた高温耐性と耐化学腐食性を備えています。 Semicorex の SiC コーティングされたグラファイトるつぼは、優れた性能と信頼性の高い品質を備えており、制御された高品質の結晶生産を実現するための最適なソリューションです。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼは高品質の溶融石英で作られており、るつぼは複数の層で構成されており、内層は非常に高品質で緻密であり、単結晶の品質を保証します。セミコレックスはシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼのプロフェッショナルであり、豊富な経験*を持っています。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex Quartz Cold Trap は、実験室で使用される一般的なガラス器具です。セミコレックスは、お客様のご要望に応じた水晶製品の貴金属加工を専門に行っております*。
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