高純度の石英は、優れた物理的および化学的特性を備えています。その固有の結晶構造、形状、格子の変化は、高温耐性、耐食性、耐摩耗性、低熱膨張係数、高絶縁性、圧電効果、共振効果、独特の光学特性などの優れた特性に貢献します。これらの特性により、それは戦略的産業および柱となる産業の発展にとってかけがえのない基盤素材となります。
このペーパーでは、緻密な SiC セラミックを製造するために使用されるさまざまな製造技術の包括的な概要を提供し、その独自の特性と用途に焦点を当てます。
静電チャック (ESC) は、半導体製造やフラット パネル ディスプレイの製造において不可欠なものとなっており、重要な処理ステップ中に繊細なウエハーや基板を保持し、位置決めするための損傷のない、高度に制御可能な方法を提供します。この記事では、ESC テクノロジーの複雑さを掘り下げ、その動作原理、さまざまな接着メカニズム、および基本的な構造コンポーネントを探ります。
通常 1 mm を超える厚い高純度炭化ケイ素 (SiC) 層は、半導体製造や航空宇宙技術など、さまざまな高価値アプリケーションにおいて重要なコンポーネントです。この記事では、このような層を製造するための化学蒸着 (CVD) プロセスを詳しく掘り下げ、主要なプロセス パラメーター、材料特性、および新たな用途に焦点を当てます。
化学気相成長 (CVD) は、さまざまな基板上に高品質でコンフォーマルな薄膜を製造するために半導体業界で広く採用されている多用途の薄膜堆積技術です。このプロセスには、加熱された基板表面上でのガス状前駆体の化学反応が含まれ、固体の薄膜が形成されます。この記事では、CVD の複雑さを掘り下げ、そのメカニズム、利点、限界、および半導体製造における主要な用途を探ります。
この記事では、特に太陽電池製造における応用に焦点を当て、半導体業界における石英ボートに関連した炭化ケイ素 (SiC) ボートの使用法と将来の方向性について詳しく説明します。