6 インチ半絶縁 HPSI SiC ウェーハ

セミコレックスでは、さまざまなタイプの 4H および 6H SiC ウェーハを提供しています。当社は長年にわたり炭化ケイ素製品の製造および供給を行ってきました。当社の二重研磨 6 インチ半絶縁 HPSI SiC ウェーハは、価格面での利点があり、ヨーロッパおよびアメリカ市場のほとんどをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex は、N 型、P 型、高純度の半絶縁性ウェーハを備えた 4H および 6H 基板を含む完全な炭化ケイ素 (SiC) ウェーハ製品ラインを備えており、エピタキシーの有無にかかわらず対応できます。

当社の 6 インチ半絶縁 HPSI SiIC ウェーハの直径 6 インチは、MOSFET、ショットキーダイオード、その他の高電圧アプリケーションなどのパワーエレクトロニクスデバイスの製造に大きな表面積を提供します。 6 インチ半絶縁 HPSI SiC ウェーハは、主に 5G 通信、レーダーシステム、誘導ヘッド、衛星通信、戦闘機およびその他の分野で使用され、RF 範囲の強化、超長距離識別、耐ジャミング、高感度などの利点があります。高速、大容量の情報転送アプリケーションに適しており、マイクロ波パワーデバイスの製造に最も理想的な基板と考えられています。

仕様:

●直径：6インチ。

●ダブルポリッシュ

● グレード: 生産、研究、ダミー

●4H-SiC HPSIウェハ

●厚み：500±25μm

●マイクロパイプ密度:≤1ea/cm²~ ≤15 ea/cm²

アイテム	生産	研究	ダミー
クリスタルパラメータ
ポリタイプ	4時間
軸上の面配向	<0001>
軸外の面配向	0±0.2°
(0004)FWHM	≤45秒角	≤60秒角	≤100 秒角
電気的パラメータ
タイプ	HPSI
抵抗率	≧1E8Ω・cm	100%面積 > 1 E5Ω・cm	70% 面積 > 1 E5Ω・cm
機械的パラメータ
直径	150±0.2mm
厚さ	500±25μm
プライマリフラット方向	[1-100]±5°またはノッチ
一次平面長さ/深さ	47.5±1.5mmまたは1～1.25mm
TTV	≤5μm	≤10μm	≤15μm
LTV	≤3μm(5mm*5mm)	≤5μm(5mm*5mm)	≤10μm(5mm*5mm)
弓	-15μm～15μm	-35μm～35μm	-45μm～45μm
ワープ	≤35μm	≤45μm	≤55μm
表面(Si面)粗さ(AFM)	Ra≦0.2nm (5μm*5μm)
構造
マイクロパイプ密度	≤1ea/cm²	≤10 ea/cm²	≤15 ea/cm²
炭素含有密度	≤1ea/cm²	それ
六角形の空洞	なし	それ
金属不純物	≤5E12原子/cm²		それ
フロント品質
フロント	そして
表面仕上げ	Si面CMP
粒子	≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm)	それ
傷	≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径	累計長さ≤300mm	それ
オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染	なし		それ
エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート	なし
ポリタイプ領域	なし	累積面積≤20%	累積面積≤30%
前面レーザーマーキング	なし
バック品質
裏面仕上げ	C面CMP
傷	≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径	それ
裏面欠陥（エッジ欠け/凹み）	なし
裏面粗さ	Ra≦0.2nm (5μm*5μm)
背面レーザーマーキング	「セミ」
角
角	面取り
包装
包装	真空包装でエピ対応可能マルチウエハカセットパッケージング
※注：「NA」は要望なしを意味します。記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。