SiCウェハキャリア

Semicorex SiC ウェーハ キャリアは、極端な熱および化学処理環境で複数の半導体ウェーハをサポートおよび搬送するように設計された特殊な高純度治具です。 Semicorex は、高度な 3D プリンティング技術を使用してこれらの次世代ウェーハ ボートを提供し、最も要求の厳しいウェーハ製造ワークフロー向けに比類のない幾何学的精度と材料純度を保証します。

精度の再定義: 3D プリント高純度SiC

複数の部品からの機械加工や組み立てなど、ウェーハキャリアの従来の製造方法では、幾何学的複雑性や接合部の完全性の限界に直面することがよくあります。 Semicorex は積層造形 (3D プリンティング) を活用することで、重要な技術的利点を提供する SiC ウェーハ キャリアを製造しています。

モノリシック構造の完全性: 3D プリントにより、シームレスな一体構造の作成が可能になります。これにより、従来の接着や溶接に伴う弱点が解消され、高温サイクル時の構造破損や粒子の脱落のリスクが大幅に軽減されます。

複雑な内部形状: 高度な 3D プリンティングにより、従来の CNC 加工では実現できなかった最適化されたスロット設計とガス流路が可能になります。これにより、ウェーハ表面全体のプロセスガスの均一性が向上し、バッチの一貫性が直接的に向上します。

材料効率と高純度: 当社のプロセスでは高純度の SiC 粉末を使用するため、微量金属不純物が最小限に抑えられたキャリアが得られます。これは、敏感な拡散、酸化、および LPCVD (低圧化学蒸着) プロセスにおける相互汚染を防ぐために重要です。

極限環境における優れたパフォーマンス

Semicorex SiC ウェーハ キャリアは、石英やその他のセラミックが使用できない場所でも機能するように設計されています。固有の特性高純度炭化ケイ素最新の半導体製造工場の運営に堅牢な基盤を提供します。

1. 優れた熱安定性

炭化ケイ素1,350℃を超える温度でも優れた機械的強度を維持します。熱膨張係数 (CTE) が低いため、急速な加熱および冷却段階でもキャリア スロットが完全に位置合わせされた状態を維持し、コストのかかる破損につながる可能性のあるウェーハの「ウォーキング」や挟み込みを防ぎます。

2. 普遍的な耐薬品性

積極的なプラズマ エッチングから高温の​​酸浴まで、当社の SiC キャリアは事実上不活性です。フッ素化ガスや濃酸による浸食に耐性があり、数百回のサイクルにわたってウェーハ スロットの寸法が一定に保たれます。この長寿命により、クォーツ代替品と比較して総所有コスト (TCO) が大幅に削減されます。

3. 高い熱伝導率

SiC の高い熱伝導率により、熱がキャリア全体に均一に分散され、ウェーハに効率的に伝達されます。これにより、「端から中心まで」の温度勾配が最小限に抑えられます。これは、バッチ処理で均一な膜厚とドーパントプロファイルを達成するために不可欠です。

産業用途

Semicorex SiC ウェーハ キャリアは、以下の分野における高性能バッチ処理のゴールド スタンダードです。

拡散炉と酸化炉: 高温ドーピングを安定してサポートします。

LPCVD / PECVD: ウェーハバッチ全体にわたって均一な膜堆積を保証します。

SiC エピタキシー: ワイドバンドギャップ半導体の成長に必要な極端な温度に耐えます。

自動化されたクリーンルーム処理: FAB オートメーションとのシームレスな統合を実現する高精度インターフェイスを備えた設計。