炭化ケイ素チャンバー蓋

結晶成長やウェーハ取り扱い処理に使用される炭化ケイ素チャンバーの蓋は、高温や過酷な化学洗浄に耐える必要があります。 Semicorex は、中国における炭化ケイ素コーティングされたグラファイトサセプタの大規模メーカーおよびサプライヤーです。当社の製品は価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカの市場の多くをカバーしています。私たちはあなたの長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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製品説明

単結晶成長や MOCVD、あるいはウェーハ処理プロセスで使用される炭化ケイ素チャンバーの蓋は、高温や過酷な化学洗浄に耐える必要があります。 Semicorex は、高純度の炭化ケイ素 (SiC) でコーティングされたグラファイト構造を提供し、優れた耐熱性、一貫したエピ層の厚さと抵抗を実現する均一な熱均一性、および耐久性のある耐薬品性を提供します。これらは、揮発性前駆体ガス、プラズマ、高温の組み合わせにさらされても耐久性があります。
当社の炭化ケイ素チャンバー蓋は、最適な層流ガス流パターンを実現し、熱プロファイルの均一性を保証するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上での高品質のエピタキシャル成長が保証されます。
炭化ケイ素チャンバー蓋の詳細については、今すぐお問い合わせください。

炭化ケイ素チャンバー蓋のパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300