炭化ケイ素チャンバー蓋

結晶成長やウェーハの取り扱い処理に使用される炭化ケイ素チャンバーの蓋は、高温や過酷な化学洗浄に耐える必要があります。 Semicorex は、中国における炭化ケイ素コーティングされたグラファイトサセプタの大規模メーカーおよびサプライヤーです。当社の製品は価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちはあなたの長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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製品説明

Silicon Carbide Chamber Lid used in single crystal growth or MOCVD, or wafer handling processing must endure high temperatures and harsh chemical cleaning. Semicorex supplies high-purity silicon carbide (SiC) coated graphite construction provides superior heat resistance, even thermal uniformity for consistent epi layer thickness and resistance, and durable chemical resistance. They are durable to experience a combination of volatile precursor gases, plasma, and high temperature.
Our Silicon Carbide Chamber Lid is designed to achieve the best laminar gas flow pattern, ensuring evenness of thermal profile. This helps to prevent any contamination or impurities diffusion, ensuring high-quality epitaxial growth on the wafer chip.
Contact us today to learn more about our Silicon Carbide Chamber Lid.

Parameters of Silicon Carbide Chamber Lid

Main Specifications of CVD-SIC Coating
SiC-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Density	g/cm ³	3.21
Hardness	Vickers hardness	2500
Grain Size	μm	2~10
Chemical Purity	%	99.99995
Heat Capacity	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimation Temperature	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4-point)	415
Young’ s Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Thermal Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300