誘導結合プラズマ (ICP)

Semicorex の誘導結合プラズマ (ICP) 用炭化ケイ素でコーティングされたサセプタは、エピタキシーや MOCVD などの高温ウェーハハンドリングプロセス用に特別に設計されています。当社のキャリアは、最大 1600°C の安定した高温酸化耐性を備えており、均一な熱プロファイル、層流ガスフローパターンを保証し、汚染や不純物の拡散を防ぎます。

お問い合わせを送信

製品説明

高温で過酷な化学環境に対応できるウェーハキャリアが必要ですか? Semicorex の誘導結合プラズマ (ICP) 用炭化ケイ素コーティングサセプタ以外に探す必要はありません。当社のキャリアは、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を提供する微細な SiC 結晶コーティングを備えています。
誘導結合プラズマ (ICP) 用 SiC サセプターの詳細については、今すぐお問い合わせください。

誘導結合プラズマ(ICP)用サセプタのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300