ICP シリコンカーボンコーティンググラファイト

エピタキシャル成長プロセスで使用されるウェーハキャリアは、高温と過酷な化学洗浄に耐える必要があります。 Semicorex ICP シリコンカーボンコーティンググラファイトサセプタは、これらの要求の厳しいエピタキシー装置用途向けに特別に設計されています。当社の製品は、高温や過酷な化学洗浄に耐えられるように設計されており、寿命と最適な結果を保証します。
当社の ICP シリコン カーボン コーティング グラファイトは、最適な層流ガス フロー パターンを実現し、熱プロファイルの均一性を確保するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上での高品質のエピタキシャル成長が保証されます。
ICP シリコン カーボン コーティング グラファイトの詳細については、今すぐお問い合わせください。

ICP シリコンカーボンコーティンググラファイトのパラメータ

ICPシリコンカーボンコーティンググラファイトの特長

- 剥がれを避け、すべての表面を確実にコーティングしてください。

高温酸化耐性：1600℃までの高温でも安定

高純度: 高温塩素化条件下での CVD 化学蒸着によって製造されます。

耐食性：高硬度、緻密な表面、微細な粒子。

耐食性: 酸、アルカリ、塩および有機試薬。

- 最適な層流ガス流パターンを実現

- 熱プロファイルの均一性を保証

- 汚染や不純物の拡散を防止します。