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プラズマエッチングチャンバー用の高温SiCコーティング

プラズマエッチングチャンバー用の高温SiCコーティング

エピタキシーや MOCVD などのウェーハ ハンドリング プロセスに関しては、Semicorex のプラズマ エッチング チャンバー用高温 SiC コーティングが第一の選択肢です。当社のキャリアは、微細な SiC 結晶コーティングにより、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を備えています。

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製品説明

Semicorex では、高品質のウェーハ処理装置の重要性を理解しています。そのため、当社のプラズマ エッチング チャンバー用の高温 SiC コーティングは、高温で過酷な化学洗浄環境向けに特別に設計されています。当社のキャリアは、均一な熱プロファイル、層流ガス流パターンを提供し、汚染や不純物の拡散を防ぎます。
プラズマ エッチング チャンバー用の高温 SiC コーティングの詳細については、今すぐお問い合わせください。


プラズマエッチングチャンバー用の高温 SiC コーティングのパラメーター

CVD-SICコーティングの主な仕様

SiC-CVDの特性

結晶構造

FCC βフェーズ

密度

g/cm3

3.21

硬度

ビッカース硬さ

2500

粒度

μm

2~10

化学純度

%

99.99995

熱容量

J kg-1 K-1

640

昇華温度

2700

感覚の強さ

MPa(室温4点)

415

ヤング率

Gpa (4pt曲げ、1300℃)

430

熱膨張 (C.T.E)

10-6K-1

4.5

熱伝導率

(W/mK)

300


プラズマエッチングチャンバー用高温SiCコーティングの特長

- 剥がれを避け、すべての表面を確実にコーティングしてください。

高温酸化耐性:1600℃までの高温でも安定

高純度: 高温塩素化条件下での CVD 化学蒸着によって製造されます。

耐食性:高硬度、緻密な表面、微細な粒子。

耐食性: 酸、アルカリ、塩および有機試薬。

- 最適な層流ガス流パターンを実現

- 熱プロファイルの均一性を保証

- 汚染や不純物の拡散を防止します。





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