プラズマエッチングチャンバー用の高温SiCコーティング

エピタキシーや MOCVD などのウェーハハンドリングプロセスに関しては、Semicorex のプラズマエッチングチャンバー用高温 SiC コーティングが第一の選択肢です。当社のキャリアは、微細な SiC 結晶コーティングにより、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を備えています。

お問い合わせを送信

製品説明

Semicorex では、高品質のウェーハ処理装置の重要性を理解しています。そのため、当社のプラズマエッチングチャンバー用の高温 SiC コーティングは、高温で過酷な化学洗浄環境向けに特別に設計されています。当社のキャリアは、均一な熱プロファイル、層流ガス流パターンを提供し、汚染や不純物の拡散を防ぎます。
プラズマエッチングチャンバー用の高温 SiC コーティングの詳細については、今すぐお問い合わせください。

プラズマエッチングチャンバー用の高温 SiC コーティングのパラメーター

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300