ALD 遊星サセプタ

アプリケーション:

High-k 誘電体の堆積: ALD プラネタリー サセプターは、酸化ハフニウム (HfO2) や酸化アルミニウム (Al2O3) などの High-k 誘電体材料の堆積に使用される攻撃的な前駆体に対して優れた耐性を示します。これにより、ALD プラネタリー サセプタはロジックおよびメモリ用途向けの高性能トランジスタの製造に適しています。

メタライゼーション層: ALD プラネタリー サセプターの高温安定性により、高温でのメタライゼーション層の堆積が可能になり、抵抗率の低下や密度の向上などの膜特性の向上につながります。これは、高度な半導体デバイスで効率的な相互接続を作成するために非常に重要です。

光電子デバイスの製造:ALD プラネタリー サセプターの不活性な性質により、III-V 族半導体などの敏感な材料の堆積に使用される前駆体との望ましくない反応が最小限に抑えられ、ALD プラネタリー サセプターは LED、レーザー、その他のオプトエレクトロニクス コンポーネントの製造に最適です。

ALD サイクル

原子層堆積 (ALD)他の薄膜堆積技術に比べていくつかの重要な利点があるため、特にマイクロエレクトロニクスやナノテクノロジーなど、さまざまな用途で人気が高まっています。

ALD の主な利点のいくつかを以下に示します。

1. オングストロームレベルの厚さ制御:

ALD では、膜厚をオングストローム レベル (0.1 ナノメートル) まで正確に制御できます。このレベルの精度は、各サイクルが単一の原子層を堆積する自己制限的な表面反応によって達成されます。

2. 優れた均一性と適合性:

ALD は、トレンチやビアなどの高アスペクト比のフィーチャを含む、広い表面積および複雑な 3D 構造にわたって優れた均一性を示します。これは、半導体デバイスなど、複雑な形状に均一なコーティングを必要とする用途にとって非常に重要です。

3. 低い堆積温度:

ALD は、他の堆積技術と比較して比較的低温 (多くの場合 300°C 未満) で実行できます。これは熱に弱い基板にとって有利であり、より広範囲の材料の使用が可能になります。

4. 高品質の映画:

ALD は通常、優れた密度、低い不純物レベル、および組成と厚さの均一性の高い膜を生成します。これらの特性は、さまざまなアプリケーションで最適なパフォーマンスを達成するために不可欠です。

5.幅広い素材の選択:

ALD では、酸化物、窒化物、金属、硫化物など、堆積できる材料の幅広い選択肢が提供されます。この多用途性により、幅広い用途に適しています。

6. 拡張性と産業上の利用可能性:

ALD テクノロジーは拡張性が高く、既存の製造プロセスに容易に統合できます。さまざまな基板サイズや形状に対応しており、大量生産に適しています。