Semicorex は、中国における炭化ケイ素コーティングされたグラファイト サセプタの大規模メーカーおよびサプライヤーです。当社は炭化ケイ素層やエピタキシー半導体などの半導体産業に注力しています。当社の SiC エピウェーハ サセプタは価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちはあなたの長期的なパートナーになることを楽しみにしています。
Semicorex は、ウェーハを支持するために MOCVD でコーティングされた SiC エピウェーハ サセプタを供給しています。 高純度の炭化ケイ素 (SiC) でコーティングされたグラファイト構造は、優れた耐熱性、一貫したエピ層の厚さと抵抗を実現する均一な熱均一性、および耐久性のある耐薬品性を提供します。微細な SiC 結晶コーティングは、きれいで滑らかな表面を提供します。これは、新品のウェーハがその領域全体の多くの点でサセプタと接触するため、取り扱いにとって重要です。
当社の SiC エピウェーハ サセプタは、最適な層流ガス フロー パターンを実現し、熱プロファイルの均一性を確保するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上での高品質のエピタキシャル成長が保証されます。
当社の SiC エピウェーハ サセプタの詳細については、今すぐお問い合わせください。
SiCエピウェーハサセプタのパラメータ
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
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SiC-CVDの特性 |
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結晶構造 |
FCC βフェーズ |
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密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
粒度 |
μm |
2~10 |
化学純度 |
% |
99.99995 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
SiCエピウェーハサセプタの特長
高純度SiCコーティンググラファイト
優れた耐熱性と均熱性
微細なSiC結晶コーティングにより滑らかな表面を実現
薬品洗浄に対する高い耐久性
ひび割れや剥離が起きにくい素材設計となっております。