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SiCエピウェーハレセプター
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SiCエピウェーハレセプター

Semicorex は、中国における炭化ケイ素コーティングされたグラファイト サセプタの大規模メーカーおよびサプライヤーです。当社は炭化ケイ素層やエピタキシー半導体などの半導体産業に注力しています。当社の SiC エピウェーハ サセプタは価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちはあなたの長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex は、ウェーハを支持するために MOCVD でコーティングされた SiC エピウェーハ サセプタを供給しています。 高純度の炭化ケイ素 (SiC) でコーティングされたグラファイト構造は、優れた耐熱性、一貫したエピ層の厚さと抵抗を実現する均一な熱均一性、および耐久性のある耐薬品性を提供します。微細な SiC 結晶コーティングは、きれいで滑らかな表面を提供します。これは、新品のウェーハがその領域全体の多くの点でサセプタと接触するため、取り扱いにとって重要です。
当社の SiC エピウェーハ サセプタは、最適な層流ガス フロー パターンを実現し、熱プロファイルの均一性を確保するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上での高品質のエピタキシャル成長が保証されます。
当社の SiC エピウェーハ サセプタの詳細については、今すぐお問い合わせください。


SiCエピウェーハサセプタのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様

SiC-CVDの特性

結晶構造

FCC βフェーズ

密度

g/cm3

3.21

硬度

ビッカース硬さ

2500

粒度

μm

2~10

化学純度

%

99.99995

熱容量

J kg-1 K-1

640

昇華温度

2700

感覚の強さ

MPa(室温4点)

415

ヤング率

Gpa (4pt曲げ、1300℃)

430

熱膨張 (C.T.E)

10-6K-1

4.5

熱伝導率

(W/mK)

300


SiCエピウェーハサセプタの特長

高純度SiCコーティンググラファイト
優れた耐熱性と均熱性
微細なSiC結晶コーティングにより滑らかな表面を実現
薬品洗浄に対する高い耐久性
ひび割れや剥離が起きにくい素材設計となっております。




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