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炭化ケイ素エピタキシーレセプター
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炭化ケイ素エピタキシーレセプター

Semicorex は、中国における炭化ケイ素エピタキシー サセプターの大規模メーカーおよびサプライヤーです。当社は炭化ケイ素層やエピタキシー半導体などの半導体産業に注力しています。当社の製品は価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカの市場の多くをカバーしています。私たちはあなたの長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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製品説明

セミコレックスは、グラファイト、セラミックス、炭化ケイ素エピタキシーサセプターなどの材料の表面に、炭素とシリコンを含む特殊なガスを高温で反応させて高純度のSiC分子を得る、CVD法によるSiCコーティングプロセスサービスを提供しています。コーティングされた材料の表面にSIC保護層を形成します。形成された SIC はグラファイト ベースにしっかりと結合し、グラファイト ベースに特別な特性を与え、グラファイトの表面を緻密にし、気孔がなく、高温耐性、耐食性、耐酸化性を高めます。
当社の炭化ケイ素エピタキシー サセプタは、最適な層流ガス フロー パターンを実現し、熱プロファイルの均一性を保証するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上での高品質のエピタキシャル成長が保証されます。
当社の炭化ケイ素エピタキシーサセプタの詳細については、今すぐお問い合わせください。


炭化ケイ素エピタキシーサセプタのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様

SiC-CVDの特性

結晶構造

FCC βフェーズ

密度

g/cm3

3.21

硬度

ビッカース硬さ

2500

粒度

μm

2~10

化学純度

%

99.99995

熱容量

J kg-1 K-1

640

昇華温度

2700

感覚の強さ

MPa(室温4点)

415

ヤング率

Gpa (4pt曲げ、1300℃)

430

熱膨張 (C.T.E)

10-6K-1

4.5

熱伝導率

(W/mK)

300


炭化ケイ素エピタキシーサセプタの特長

- グラファイト基板と炭化ケイ素層は両方とも良好な密度を備えており、高温および腐食性の作業環境において良好な保護役割を果たします。
- 単結晶成長に使用される炭化ケイ素コーティングされたサセプタは、非常に高い表面平坦性を持っています。
- グラファイト基板と炭化ケイ素層の熱膨張係数の差を低減し、接着強度を効果的に向上させ、亀裂や層間剥離を防ぎます。
・グラファイト基材と炭化ケイ素層はいずれも熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。
- 高融点、高温酸化耐性、耐食性。




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