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ウェーハキャリアトレイ
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ウェーハキャリアトレイ

Semicorex は、半導体産業における炭化ケイ素層に焦点を当てた、OEM 半製造ツールおよびウェーハ処理コンポーネント向けの半導体グレードのセラミックを提供します。当社は長年にわたりウェーハキャリアトレイの製造および供給を行ってきました。当社のウェーハ キャリア トレイは価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場のほとんどをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex は、エピタキシーや MOCVD などの薄膜堆積フェーズやウェーハ ハンドリング処理だけでなく、ウェーハを支持するために使用される超高純度セラミック キャリアも供給しています。 MOCVD プロセスの中心となるウェハ キャリア トレイは、最初に成膜環境にさらされるため、高い耐熱性と耐腐食性を備えています。また、SiC コーティングを施したキャリアは熱伝導率が高く、熱分布特性にも優れています。
当社のウェーハ キャリア トレイの詳細については、今すぐお問い合わせください。


ウェーハキャリアトレイのパラメータ

技術的特性

索引

ユニット

価値

材質名

反応焼結炭化ケイ素

無加圧焼結炭化ケイ素

再結晶炭化ケイ素

構成

RBSiC

SSiC

R-SiC

かさ密度

g/cm3

3

3.15±0.03

2.60-2.70

曲げ強度

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80~90(20℃) 90~100(1400℃)

圧縮強度

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

硬度

ボタン

2700

2800

/

粘り強さを打ち破る

MPa・m1/2

4.5

4

/

熱伝導率

W/m.k

95

120

23

熱膨張係数

10-6.1/℃

5

4

4.7

比熱

ジュール/g 0k

0.8

0.67

/

空気中の最高温度

1200

1500

1600

弾性率

GPA

360

410

240


SSiC と RBSiC の違い:

1. 焼結プロセスが異なります。 RBSiCは炭化ケイ素に低温で遊離Siを浸透させたもので、SSiCは2100度で自然収縮により形成されます。

2. SSiC はより滑らかな表面、より高密度、より高い強度を備えています。より厳しい表面要件を持つ一部のシーリングでは、SSiC の方が優れています。

3.異なるPHと温度で異なる使用時間、SSiCはRBSiCより長い


ウエハキャリアトレイの特長

- CVD 炭化ケイ素コーティングにより耐用年数が向上します。
・高性能精製硬質カーボン製断熱材。
・グラファイト基材と炭化ケイ素層はいずれも熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。
- 高純度グラファイトと SiC コーティングにより、耐ピンホール性と長寿命を実現


炭化ケイ素セラミックスの製作可能形状:

●セラミックロッド/セラミックピン/セラミックプランジャー

●セラミックチューブ/セラミックブッシュ/セラミックスリーブ

●セラミックリング/セラミックワッシャー/セラミックスペーサー

●セラミックディスク

●セラミック板・セラミックブロック

●セラミックボール

●セラミックピストン

●セラミックノズル

●セラミックるつぼ

●その他カスタムセラミックパーツ



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