Semicorex の高度な高純度炭化ケイ素でコーティングされたコンポーネントは、ウェーハ取り扱いプロセスにおける極端な環境に耐えるように構築されています。当社の半導体ウェーハ チャックは価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。
Semicorex の超平面半導体ウェーハ チャックは、ウェーハ ハンドリング プロセスで使用される高純度 SiC コーティングです。 MOCVD装置による半導体ウェーハチャック 化合物成長により耐熱性、耐食性が高く、極限環境下でも安定性が高く、半導体ウェーハ加工の歩留まり管理を向上させます。低表面接触構成により、敏感な用途において裏面粒子のリスクが最小限に抑えられます。
半導体ウェーハチャックのパラメータ
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
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SiC-CVDの特性 |
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結晶構造 |
FCC βフェーズ |
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密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
粒度 |
μm |
2~10 |
化学純度 |
% |
99.99995 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
半導体ウエハチャックの特長
- CVD 炭化ケイ素コーティングにより耐用年数が向上します。
- ウルトラフラットな機能
- 高剛性
- 低熱膨張
- 極度の耐摩耗性