電気自動車の世界的な受け入れが徐々に増加するにつれ、炭化ケイ素 (SiC) は今後 10 年間に新たな成長の機会に遭遇するでしょう。パワー半導体のメーカーや自動車産業の事業者は、この分野のバリューチェーンの構築により積極的に参加すると予想されます。
ワイドバンドギャップ (WBG) 半導体材料としての SiC は、より広いエネルギー差により、従来の Si と比較してより高い熱特性と電子特性を実現します。この機能により、パワーデバイスはより高い温度、周波数、電圧で動作できるようになります。
炭化ケイ素 (SiC) は、その優れた電気的および熱的特性により、パワー エレクトロニクスおよび高周波デバイスの製造において重要な役割を果たしています。 SiC 結晶の品質とドーピング レベルはデバイスの性能に直接影響するため、ドーピングの正確な制御は SiC 成長プロセスにおける重要な技術の 1 つです。
MOCVD は、気相エピタキシャル成長 (VPE) をベースに開発された新しい気相エピタキシャル成長技術です。
物理的気相輸送法 (PVT) による SiC および AlN 単結晶の成長プロセスでは、るつぼ、種結晶ホルダー、ガイド リングなどのコンポーネントが重要な役割を果たします。 SiCの製造プロセス中、種結晶は比較的低温領域にありますが、原料は2400℃を超える高温領域にあります。原料は高温で分解して、SiXCy (Si、SiC₂、Si₂C およびその他の成分を含む) を形成します。
SiC基板材料はSiCチップの中核です。基板の製造プロセスは、単結晶育成によりSiC結晶インゴットを得た後、次に、SiC 基板の準備には、平滑化、丸め、切断、研削 (薄化) が必要です。機械研磨、化学機械研磨;および洗浄、テストなどのプロセス