炭化ケイ素(SiC)は、熱的、物理的、化学的安定性に優れ、従来の材料を超えた特性を示す材料です。その熱伝導率はなんと84W/(m・K)で、銅よりも高いだけでなくシリコンの3倍にもなります。これは、熱管理アプリケーションでの使用における大きな可能性を示しています。
急速に進化する半導体製造分野では、最適なパフォーマンス、耐久性、効率を達成するという点では、たとえ小さな改善でも大きな違いを生む可能性があります。業界で大きな話題を呼んでいる進歩の 1 つは、グラファイト表面に TaC (炭化タンタル) コーティングを使用することです。 TaCコーティングとは一体何で、なぜ半導体メーカーが注目するのでしょうか?
炭化ケイ素産業には、基板の作成、エピタキシャル成長、デバイス設計、デバイス製造、パッケージング、テストを含む一連のプロセスが含まれます。一般に、炭化ケイ素はインゴットとして作成され、その後スライス、研削、研磨されて炭化ケイ素基板が製造されます。
炭化ケイ素 (SiC) は、その優れた物理化学的特性により、パワー エレクトロニクス、高周波 RF デバイス、高温耐性環境用のセンサーなどの分野で重要な用途に使用されています。しかし、SiC ウェハ処理中のスライス操作により表面に損傷が生じ、これを未処理のままにしておくと、その後のエピタキシャル成長プロセス中に拡大してエピタキシャル欠陥が形成され、デバイスの歩留まりに影響を与える可能性があります。
現在研究中の材料がいくつかありますが、その中でも炭化ケイ素は最も有望な材料の 1 つとして際立っています。 GaN と同様に、シリコンに比べて高い動作電圧、高い降伏電圧、優れた導電性を誇ります。さらに、炭化ケイ素は熱伝導率が高いため、極端な温度の環境でも使用できます。最後に、サイズが大幅に小さいにもかかわらず、より大きな電力を処理できます。
半導体シリコン単結晶ホットフィールドのコーティング部品は、一般的にCVD法によりコーティングされており、熱分解炭素コーティング、炭化ケイ素コーティング、炭化タンタルコーティングなどがあり、それぞれ特性が異なります。