TaCコートハーフムーン

Semicorex TaC コーティングされたハーフムーンは、SiC エピタキシーに必要な高温 (最大 2200°C) においても構造の完全性と化学的不活性を維持します。これにより、一貫した熱性能が確保され、プロセスガスや原料物質との望ましくない反応が防止されます。また、熱伝導率と放射率を最適化するように設計でき、サセプター表面全体に均一な熱分布を促進します。これにより、ウェーハ温度プロファイルがより均一になり、エピタキシャル層の厚さとドーピング濃度の均一性が向上します。さらに、TaC コーティングされたハーフムーンの熱膨張係数は、SiC の熱膨張係数とほぼ一致するように調整でき、加熱および冷却サイクル中の熱応力を最小限に抑えることができます。これにより、ウェーハの反りや欠陥形成のリスクが軽減され、デバイスの歩留まりの向上に貢献します。

TaC コーティングされたハーフムーンは、コーティングされていない/SiC コーティングされた代替品と比較して、グラファイト サセプターの耐用年数を大幅に延長します。 SiC の堆積と熱劣化に対する耐性が強化されたため、洗浄サイクルと交換の頻度が減り、全体的な製造コストが削減されます。

SiC デバイスのパフォーマンスの利点:

デバイスの信頼性とパフォーマンスの強化:TaC でコーティングされたハーフムーン上に成長したエピタキシャル層の均一性の向上と欠陥密度の減少により、デバイスの歩留まりが向上し、ブレークダウン電圧、オン抵抗、スイッチング速度の点で性能が向上します。

大量生産向けのコスト効率の高いソリューション:寿命の延長、メンテナンス要件の軽減、ウェーハ品質の向上は、SiC パワーデバイスの製造プロセスのコスト効率の向上に貢献します。

Semicorex TaC コーティングされたハーフムーンは、材料の適合性、熱管理、プロセス汚染に関する重要な課題に対処することにより、SiC エピタキシーの進歩において重要な役割を果たします。これにより、より高品質の SiC ウェーハの製造が可能になり、電気自動車、再生可能エネルギー、その他の要求の厳しい産業でのアプリケーション向けに、より効率的で信頼性の高いパワー エレクトロニクス デバイスが実現されます。