シリコンウェーハキャリア

半導体堆積プロセスでは、揮発性前駆体ガス、プラズマ、および高温を組み合わせて、高品質の薄膜をウェーハ上に積層します。堆積チャンバーとウェーハハンドリングツールには、これらの困難な環境に耐えるために耐久性のあるセラミックコンポーネントが必要です。
セミコレックスシリコンウェーハキャリアは、高純度の炭化ケイ素であり、耐食性、耐熱性に優れ、熱伝導性に優れています。

シリコンウェーハキャリアのパラメータ

SSiC と RBSiC の違い:

1. 焼結プロセスが異なります。 RBSiCは炭化ケイ素に低温で遊離Siを浸透させたもので、SSiCは2100度で自然収縮により形成されます。

2. SSiC はより滑らかな表面、より高密度、より高い強度を備えています。より厳しい表面要件を持つ一部のシーリングでは、SSiC の方が優れています。

3.異なるPHと温度で異なる使用時間、SSiCはRBSiCより長い

シリコンウェーハキャリアの特長

高純度SiCコーティンググラファイト
優れた耐熱性と均熱性
微細なSiC結晶コーティングにより滑らかな表面を実現
薬品洗浄に対する高い耐久性
ひび割れや剥離が起きにくい素材設計となっております。

炭化ケイ素セラミックスの製作可能形状：

●セラミックロッド/セラミックピン/セラミックプランジャー

●セラミックチューブ/セラミックブッシュ/セラミックスリーブ

●セラミックリング/セラミックワッシャー/セラミックスペーサー

●セラミックディスク

●セラミック板・セラミックブロック

●セラミックボール

●セラミックピストン

●セラミックノズル

●セラミックるつぼ

●その他カスタムセラミックパーツ