半導体製造アプリケーションで使用する高性能グラファイト サセプタが必要な場合、Semicorex バレル リアクター内シリコン エピタキシャル堆積が理想的な選択肢です。高純度の SiC コーティングと卓越した熱伝導率により、優れた保護特性と熱分布特性を実現し、最も困難な環境でも信頼性が高く一貫したパフォーマンスを実現するための有力な選択肢となっています。
Semicorex バレル リアクター内シリコン エピタキシャル堆積は、ウェーハ チップ上にエピキシャル層を成長させるのに理想的な製品です。高純度SiCコーティンググラファイトキャリアで、耐熱性、耐腐食性に優れ、極限環境での使用に最適です。このバレル サセプタは LPE に適しており、優れた熱性能を提供し、熱プロファイルの均一性を保証します。さらに、最適な層流ガス流パターンを保証し、汚染や不純物がウェーハ内に拡散するのを防ぎます。
Semicorex では、高品質でコスト効率の高い製品をお客様に提供することに重点を置いています。当社のバレルリアクター内シリコンエピタキシャル堆積は価格面で優位性があり、多くのヨーロッパおよびアメリカの市場に輸出されています。当社は、一貫した品質の製品と優れた顧客サービスを提供し、お客様の長期的なパートナーとなることを目指しています。
バレルリアクターにおけるシリコンエピタキシャル堆積のパラメータ
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
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SiC-CVDの特性 |
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結晶構造 |
FCC βフェーズ |
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密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
粒度 |
μm |
2~10 |
化学純度 |
% |
99.99995 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
バレル型反応器によるシリコンエピタキシャル成長の特徴
- グラファイト基板と炭化ケイ素層は両方とも良好な密度を備えており、高温および腐食性の作業環境において良好な保護役割を果たします。
- 単結晶成長に使用される炭化ケイ素コーティングされたサセプタは、非常に高い表面平坦性を持っています。
- グラファイト基板と炭化ケイ素層の熱膨張係数の差を低減し、接着強度を効果的に向上させ、亀裂や層間剥離を防ぎます。
・グラファイト基材と炭化ケイ素層はいずれも熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。
- 高融点、高温酸化耐性、耐食性。