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炭化ケイ素 SiC コーティングバレルサセプター
Semicorex は、炭化ケイ素 SiC コーティングされたバレル サセプター、精密機械加工された高純度グラファイトの大手独立系メーカーで、半導体製造の炭化ケイ素コーティングされたグラファイト、炭化ケイ素セラミック、MOCVP 分野に重点を置いています。当社の炭化ケイ素 SiC コーティングバレルサセプタは価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。
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製品説明
セミコレックス炭化ケイ素 SiC コーティングバレルサセプターグラファイトに高純度SiCをコーティングした製品で、耐熱性、耐食性に優れています。 LPEに適しています。の炭化ケイ素半導体ウエハ上にエピキシャル層を形成する工程で使用される、熱伝導率が高く、熱分布に優れたSiCコートバレルサセプタです。
当社の詳細については、今すぐお問い合わせください。炭化ケイ素SiC コーティングされたバレルサセプター。
のパラメータ炭化ケイ素SiCコーティングバレルレシーバー
|
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
||
|
SiC-CVDの特性 |
||
|
結晶構造 |
FCC βフェーズ |
|
|
密度 |
g/cm3 |
3.21 |
|
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
|
粒度 |
μm |
2~10 |
|
化学純度 |
% |
99.99995 |
|
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
|
昇華温度 |
℃ |
2700 |
|
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
|
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
|
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
|
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
の特徴炭化ケイ素SiCコーティングバレルレシーバー
- グラファイト基板と炭化ケイ素層は両方とも良好な密度を備えており、高温および腐食性の作業環境において優れた保護役割を果たします。
- 単結晶成長に使用される炭化ケイ素コーティングされたサセプタは、非常に高い表面平坦性を持っています。
- グラファイト基板と炭化ケイ素層の熱膨張係数の差を低減し、接着強度を効果的に向上させ、亀裂や層間剥離を防ぎます。
・グラファイト基材と炭化ケイ素層はいずれも熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。
- 高融点、高温酸化耐性、耐食性。
ホットタグ: 炭化ケイ素 SiC コーティングされたバレル サセプター、中国、メーカー、サプライヤー、工場、カスタマイズされた、バルク、高度な、耐久性
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