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炭化ケイ素ICPエッチングプレート

炭化ケイ素ICPエッチングプレート

炭化ケイ素ICPエッチングプレートは、高純度焼結炭化ケイ素セラミックスで製造されたウェーハホルダーに欠かせないものです。 Semicorex によって特別に設計されたこの製品は、最先端の半導体産業における誘導結合プラズマ (ICP) エッチングおよび堆積システムの重要な実現要因として機能します。

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製品説明

炭化ケイ素ICPエッチングプレートエッチング作業中にウェーハを安定して支持し、正確な位置決めを実現し、振動や位置ずれによるエッチング精度の低下を効果的に防ぎます。


炭化ケイ素 ICP エッチング プレートは熱管理機能を備えています。優れた熱伝導率SICセラミック炭化ケイ素 ICP エッチング プレートに熱を素早く放散する機能を与え、ワークピースの局所的な過熱を防ぎ、エッチング温度の均一性を確保し、それによってエッチング品質を向上させます。 SiC セラミックは熱膨張係数が低いため、炭化ケイ素 ICP エッチング プレートは良好な寸法安定性を維持し、熱膨張によるワークの位置ずれや変形を軽減できます。


炭化ケイ素 ICP エッチング プレートは、その優れた硬度と強度特性により、変形や損傷を最小限に抑えながら、エッチング プロセス中に発生する機械的応力やプラズマ衝撃に耐える能力を示します。この機能により、半導体デバイスの歩留まりと生産効率が効果的に向上します。


ICP の動作環境では、半導体レベルの清浄度が必要です。 Semicorex の炭化ケイ素 ICP エッチング プレートはこの要件を完全に満たし、ICP エッチング環境の化学ガス (塩素やフッ素など) やプラズマに対して優れた耐性を発揮します。この重要な機能により、エッチング操作中に放出される汚染物質の量が減少し、プロセス環境がクリーンに保たれます。


Semicorex はユーザーの利便性を優先し、既存の ICP エッチング システムとシームレスに統合し、さまざまな構成と互換性のある炭化ケイ素 ICP エッチング プレートのカスタマイズされた設計を提供します。これによりスムーズな移行が可能となり、機器メーカーにとって理想的なアップグレード ソリューションとなります。


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