MOCVD用SiCグラファイトRTPキャリアプレート

MOCVD 用 Semicorex SiC グラファイト RTP キャリアプレートは、優れた耐熱性と熱均一性を備え、半導体ウェーハ処理用途に最適なソリューションです。高品質の SiC コーティングされたグラファイトを使用したこの製品は、エピタキシャル成長のための最も過酷な堆積環境に耐えるように設計されています。高い熱伝導率と優れた熱分布特性により、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄において信頼性の高いパフォーマンスが保証されます。

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製品説明

当社の MOCVD エピタキシャル成長用 SiC グラファイト RTP キャリアプレートは、ウェーハのハンドリングとエピタキシャル成長処理に最適なソリューションです。滑らかな表面と化学洗浄に対する高い耐久性を備えたこの製品は、過酷な成膜環境でも信頼性の高いパフォーマンスを保証します。
当社の MOCVD 用 SiC グラファイト RTP キャリアプレートの材料は、亀裂や層間剥離を防ぐように設計されており、優れた耐熱性と熱均一性により、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄に対して一貫したパフォーマンスが保証されます。
MOCVD 用 SiC グラファイト RTP キャリアプレートの詳細については、今すぐお問い合わせください。

MOCVD用SiCグラファイトRTPキャリアプレートのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300