Semicorex の RTP グラファイト キャリア プレートは、エピタキシャル成長やウェーハ ハンドリング処理などの半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適なソリューションです。当社の製品は、優れた耐熱性と熱均一性を提供するように設計されており、エピタキササセプタが成膜環境にさらされても高い耐熱性と耐食性を備えています。
当社の製品は、優れた熱分布特性を提供する高純度の SiC コーティングされたグラファイトを特徴としており、SiC コーティングされたキャリアの表面がクラックや剥離のない滑らかな状態を保証します。当社の RTP グラファイト キャリア プレートは細かく炭化ケイ素でコーティングされており、表面は滑らかで欠陥がありません。この製品は、過酷な化学洗浄に対して耐久性が高く、ひび割れや剥離が発生しないように設計されています。
当社は競合他社が真似できない価格優位性を提供し、中国におけるお客様の長期的なパートナーとなるよう尽力します。
当社の RTP グラファイトキャリアプレートを使用すると、優れた性能、優れた耐熱性、熱均一性を保証できます。 SiC コーティングされたキャリアは高温に耐えるように設計されており、化学洗浄に対する耐性が高く、長年にわたって使用できることが保証されます。当社の製品は使いやすいように設計されており、初心者と経験豊富なユーザーの両方にとって理想的です。
Semicorex では、お客様に高品質の製品とサービスを提供することに尽力しています。当社は最高の素材のみを使用し、当社の製品は最高の品質と性能基準を満たすように設計されています。当社の RTP グラファイトキャリアプレートも例外ではありません。半導体ウェーハ処理のニーズにどのように対応できるかについて詳しく知りたい場合は、今すぐお問い合わせください。
RTPグラファイトキャリアプレートのパラメータ
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
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SiC-CVDの特性 |
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結晶構造 |
FCC βフェーズ |
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密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
粒度 |
μm |
2~10 |
化学純度 |
% |
99.99995 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
RTPグラファイトキャリアプレートの特長
高純度SiCコーティンググラファイト
優れた耐熱性と均熱性
微細なSiC結晶コーティングにより滑らかな表面を実現
薬品洗浄に対する高い耐久性
ひび割れや剥離が起きにくい素材設計となっております。