エピタキシャル成長用のSiCコーティングRTPキャリアプレート

Semicorex エピタキシャル成長用 SiC コーティング RTP キャリアプレートは、半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適なソリューションです。グラファイトやセラミックスなどの表面にMOCVD法で加工した高品質なカーボングラファイトサセプタと石英るつぼを備えており、ウェーハハンドリングやエピタキシャル成長処理に最適です。 SiC コーティングされたキャリアは高い熱伝導率と優れた熱分布特性を保証し、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄に信頼できる選択肢となります。

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製品説明

当社のエピタキシャル成長用 SiC コーティング RTP キャリアプレートは、堆積環境の最も厳しい条件に耐えるように設計されています。高い耐熱性と耐腐食性を備えたエピタキシャルサセプタは、エピタキシャル成長に最適な堆積環境にさらされます。キャリア上の微細な SiC 結晶コーティングにより、滑らかな表面と化学洗浄に対する高い耐久性が確保され、材料は亀裂や層間剥離を防ぐように設計されています。
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エピタキシャル成長用のSiCコーティングRTPキャリアプレートのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300