SiCフォーカスリング

Semicorex の高度な高純度 SiC フォーカスリングは、プラズマエッチング (またはドライエッチング) チャンバー内の極限環境に耐えるように構築されています。当社は炭化ケイ素層やエピタキシー半導体などの半導体産業に注力しています。当社の製品は価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカの市場の多くをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex が提供する SiC フォーカスリングは、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄に対して非常に安定しています。 SiC フォーカスリングまたはエッジリングは、ウェーハのエッジまたは周囲のエッチングの均一性を向上させるように設計されています。厳しいプラズマエッチングプロセス向けに設計された高純度コンポーネントにより、汚染と予定外のメンテナンスを最小限に抑えます。 SiC コーティングを施した当社の SiC フォーカスリングは、緻密で耐摩耗性の高い炭化ケイ素 (SiC) コーティングです。耐食性、耐熱性に優れ、熱伝導性にも優れています。化学気相成長 (CVD) プロセスを使用して、グラファイト上に SiC を薄層で塗布します。

SiCフォーカスリングのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300