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SiC コーティングされたグラファイト蓋カバー
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SiC コーティングされたグラファイト蓋カバー

弊社の最先端の SiC コーティングされたグラファイト蓋カバーで、半導体装置の領域における最高のパフォーマンスと耐久性を解き放ちます。このディスク型コンポーネントは、さまざまな半導体アプリケーション向けに専門的に設計されており、グラファイトと炭化ケイ素 (SiC) コーティングの独自の組み合わせを提供して機能と効率を強化しています。 Semicorex は高品質の製品を競争力のある価格で提供することに尽力しており、中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

SiC コーティングされたグラファイト蓋カバーは、高温、腐食、摩耗に対する優れた耐性で知られる堅牢な炭化ケイ素 (SiC) コーティングで強化されています。このコーティングは、最も要求の厳しい半導体環境でも長寿命と信頼性を保証します。

高品質グラファイトを基材として使用しているため、優れた熱伝導性と電気伝導性を実現します。この特性は、半導体プロセスにおける効率的な熱伝達と正確な温度制御にとって不可欠です。

蓋カバーは、半導体プロセスを正確かつ効率的に制御できるように設計されています。 SiC コーティングとグラファイトの熱特性を組み合わせることで、最適な温度均一性とガス流量制御が容易になります。

半導体装置のパフォーマンスを向上させるために、今すぐ SiC コーティングされたグラファイト蓋カバーに投資してください。半導体アプリケーションにおける蓋カバーの基準を再定義する際の、品質と革新に対する当社の揺るぎない取り組みを信頼してください。耐久性と精度が融合した SiC コーティングされたグラファイト蓋カバーで、半導体装置の未来を体験してください。





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