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LPEエピタキシャル成長用SiCコーティングバレルサセプタ

LPEエピタキシャル成長用SiCコーティングバレルサセプタ

Semicorex LPE エピタキシャル成長用 SiC コーティング バレル サセプタは、長期間にわたって一貫した信頼性の高いパフォーマンスを提供するように設計された高性能製品です。均一な熱プロファイル、層流ガス流パターン、および汚染防止により、ウェーハチップ上に高品質のエピタキシャル層を成長させるのに理想的な選択肢となります。そのカスタマイズ性とコスト効率により、市場での競争力の高い製品となっています。

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製品説明

当社の LPE エピタキシャル成長用 SiC コーティングバレルサセプタは、コストパフォーマンスに優れた高品質で信頼性の高い製品です。高温酸化耐性、均一な熱プロファイル、汚染防止により、ウェーハチップ上に高品質のエピタキシャル層を成長させるのに理想的な選択肢となります。メンテナンス要件が低く、カスタマイズ可能であるため、市場での競争力の高い製品となっています。

LPE エピタキシャル成長用の SiC コーティングバレルサセプターの詳細については、今すぐお問い合わせください。


LPEエピタキシャル成長用SiCコーティングバレルサセプタのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様

SiC-CVDの特性

結晶構造

FCC βフェーズ

密度

g/cm3

3.21

硬度

ビッカース硬さ

2500

粒度

μm

2~10

化学純度

%

99.99995

熱容量

J kg-1 K-1

640

昇華温度

2700

感覚の強さ

MPa(室温4点)

415

ヤング率

Gpa (4pt曲げ、1300℃)

430

熱膨張 (C.T.E)

10-6K-1

4.5

熱伝導率

(W/mK)

300


LPEエピタキシャル成長用SiCコートバレルサセプタの特長

- グラファイト基板と炭化ケイ素層は両方とも良好な密度を備えており、高温および腐食性の作業環境において優れた保護役割を果たします。

- 単結晶成長に使用される炭化ケイ素コーティングされたサセプタは、非常に高い表面平坦性を持っています。

- グラファイト基板と炭化ケイ素層の熱膨張係数の差を低減し、接着強度を効果的に向上させ、亀裂や層間剥離を防ぎます。

・グラファイト基材と炭化ケイ素層はいずれも熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。

- 高融点、高温酸化耐性、耐食性。




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