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エピタキシャル成長用のSiCコーティングRTPキャリアプレート

Semicorex エピタキシャル成長用 SiC コーティング RTP キャリアプレートは、半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適なソリューションです。グラファイトやセラミックスなどの表面にMOCVD法で加工した高品質なカーボングラファイトサセプタと石英るつぼを備えており、ウェーハハンドリングやエピタキシャル成長処理に最適です。 SiC コーティングされたキャリアは高い熱伝導率と優れた熱分布特性を保証し、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄に信頼できる選択肢となります。

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RTP RTA SiC コーティングキャリア

Semicorex は、中国における炭化ケイ素コーティングされたグラファイトサセプタの大規模メーカーおよびサプライヤーです。 Semicorex グラファイトサセプタは、中国で高い耐熱性と耐腐食性を備えたエピタキシー装置用に特別に設計されました。当社の RTP RTA SiC コーティングキャリアは価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちはあなたの長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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MOCVDエピタキシャル成長用RTPキャリア

MOCVD エピタキシャル成長用 Semicorex RTP キャリアは、エピタキシャル成長やウェーハハンドリング処理などの半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適です。カーボングラファイトサセプタおよび石英るつぼは、グラファイト、セラミックスなどの表面にMOCVDによって加工されます。当社の製品は価格面での優位性があり、ヨーロッパおよびアメリカの多くの市場をカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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ICPエッチングキャリアプレート

Semicorex の ICP エッチングキャリアプレートは、要求の厳しいウェーハの取り扱いや薄膜堆積プロセスに最適なソリューションです。当社の製品は、優れた耐熱性と耐腐食性、均一な熱均一性、および層流のガス流パターンを提供します。清潔で滑らかな表面を備えた当社のキャリアは、新品のウェーハを扱うのに最適です。

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ICPエッチングプロセス用SiCプレート

Semicorex の ICP エッチングプロセス用 SiC プレートは、薄膜堆積やウェーハハンドリングにおける高温で過酷な化学処理要件に最適なソリューションです。当社の製品は優れた耐熱性と均一な熱均一性を誇り、一貫したエピ層の厚さと抵抗を保証します。当社の高純度 SiC 結晶コーティングは、きれいで滑らかな表面を備えており、新品のウェーハに最適なハンドリングを提供します。

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LPEエピタキシャル成長用SiCコーティングバレルサセプタ

Semicorex LPE エピタキシャル成長用 SiC コーティングバレルサセプタは、長期間にわたって一貫した信頼性の高いパフォーマンスを提供するように設計された高性能製品です。均一な熱プロファイル、層流ガス流パターン、および汚染防止により、ウェーハチップ上に高品質のエピタキシャル層を成長させるのに理想的な選択肢となります。そのカスタマイズ性とコスト効率により、市場での競争力の高い製品となっています。

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