多孔質SICプレート

Semicorex多孔質SICプレートは、高度な半導体および精密製造用途向けに設計された高性能セラミック材料です。細かく制御された多孔質構造で設計されたこのプレートは、並外れた機械的強度、熱安定性、および化学耐性を提供し、それを使用するのに理想的な選択肢となります真空チャック半導体処理で。

精密焼結と細孔形成によって処理された多孔質SICプレートは、均一な多孔性と最適化された空気透過性を備えているため、薄いウェーハ、ガラスパネル、およびその他の繊細な基板の安全で安定した吸着が確保されます。慎重に制御された細孔サイズ分布は、その構造成分を最後の原子まで一緒に保持しながら、効果的な真空吸引を可能にし、さらなる処理を目的とした材料の変形または損傷を事実上防止します：ウェーファー。

その優れた熱伝導率により、多孔質SICプレートは、表面全体の温度の均一な分布を備えた迅速な熱散逸に最適な候補の1つになります。これは、製品の収量と品質に直接関連する熱条件内で安定性を維持するための多くの種類の半導体製造プロセスで重要になります。また、炭化シリコンは、耐摩耗性と比較的高いレベルの硬さを示します。したがって、表面の摩耗と汚染が非常に延長されているため、プレートの寿命が長くなります。

化学的不活性は、多孔質SICプレートのもう1つの重要な特性です。酸、アルカリ、および血漿曝露に対する強い耐性を示し、エッチング、堆積、化学処理チャンバーなどの半導体製造内の過酷な環境に適しています。 SICの非反応性の性質は、不要な化学的相互作用を防ぎ、加工材料の純度を維持し、生産の信頼性を高めます。

さらに、多孔質SICの軽量性は、その堅牢な機械的特性と組み合わされて、簡単な取り扱いと精密機械への統合を促進します。低熱膨張係数は、極端な温度変動下でも寸法の安定性を保証し、動作中の反りまたは誤りのリスクを最小限に抑えます。

多孔質SICプレートは、多孔性、厚さ、表面仕上げの変動など、特定のアプリケーション要件を満たすようにカスタマイズできます。高度な機械加工と研磨技術を適用して、粗さを最小限に抑えて超薄型表面を実現し、真空チャック材料としてのパフォーマンスをさらに向上させることができます。

セミコレックス多孔質炭化物プレートは、高強度、優れた熱安定性と化学的安定性、優れた耐摩耗性の組み合わせを提供する高度に特殊なセラミック成分です。そのユニークな多孔質構造により、効果的な真空吸引が可能になり、半導体および精密産業での安全なウェーハ処理が確保されます。その結果、パフォーマンス、耐久性、信頼性が最も重要な高精度アプリケーションにとって不可欠な資料です。