Semicorex プラズマ処理フォーカス リングは、半導体産業におけるプラズマ エッチング処理の高い要求を満たすように特別に設計されています。当社の高度な高純度炭化ケイ素コーティングされたコンポーネントは、極限環境に耐えるように構築されており、炭化ケイ素層やエピタキシー半導体などのさまざまな用途での使用に適しています。
当社のプラズマ処理フォーカス リングは、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄に対して非常に安定しているため、プラズマ エッチング (またはドライ エッチング) チャンバーでの使用に最適です。当社のフォーカス リングまたはエッジ リングは、ウェーハのエッジや周囲のエッチングの均一性を向上させるように設計されており、汚染や予定外のメンテナンスを最小限に抑えるように設計されています。
当社の SiC コーティングは、緻密で耐摩耗性の高い炭化ケイ素コーティングであり、高い耐食性と耐熱性、優れた熱伝導性を備えています。化学気相成長 (CVD) プロセスを使用して、グラファイト上に SiC を薄層で塗布します。これにより、当社の SiC フォーカス リングは優れた品質と耐久性を備え、プラズマ エッチング処理のニーズに信頼できる選択肢となることが保証されます。
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プラズマ処理フォーカスリングのパラメータ
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
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SiC-CVDの特性 |
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結晶構造 |
FCC βフェーズ |
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密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
粒度 |
μm |
2~10 |
化学純度 |
% |
99.99995 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
プラズマ処理フォーカスリングの特長
- CVD 炭化ケイ素コーティングにより耐用年数が向上します。
・高性能精製硬質カーボン製断熱材。
- カーボン/カーボン複合ヒーターとプレート。 ・グラファイト基材と炭化ケイ素層はいずれも熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。
- 高純度グラファイトと SiC コーティングにより、耐ピンホール性と長寿命を実現