各国はチップの重要性を認識しており、チップ不足問題の再発を防ぐために現在、自国のチップ製造サプライチェーンエコシステムの構築を加速させている。しかし、次世代チップ設計者のいない先進的なファウンドリは、「チップのないファブ」と同じになります。
新しく発表された年次報告書の中で、TSMCのDeyin Liu会長とChieh-Jia Wei最高経営責任者(CEO)は、2nmプロセスに関する進捗状況を明らかにした。
デバイス製造、通常 LED 発光デバイスでは、シリコン基板上に GaAs エピタキシャル層を必要とする一部のウェーハ基板上にさらにエピタキシャル層を構築する必要があることがわかっています。 SiC エピタキシャル層は、高電圧、大電流、その他の電力用途向けの SBD、MOSFET などのデバイスを構築するために、導電性 SiC 基板上に成長します。 GaN エピタキシャル層は、HEMT やその他の RF アプリケーションを構築するために、半絶縁性 SiC 基板の上に構築されます。