炭化ケイ素 (SiC) セラミックは、その優れた特性と幅広い用途で知られる先進的なセラミック材料の一種です。ケイ素(Si)と炭素(C)原子が結晶格子構造をとって構成されており、硬くて強度があり、熱伝導性、電気伝導性に優れています。
P 型炭化ケイ素 (SiC) ウェハは、P 型 (正) 導電性を作り出すために不純物がドープされた半導体基板です。炭化ケイ素は、優れた電気的および熱的特性を備えたワイドバンドギャップ半導体材料であり、高出力および高温の電子デバイスに適しています。