半導体装置用ガス導入リング

Semicorex は、中国における炭化ケイ素コーティングされたグラファイトサセプタの大規模メーカーおよびサプライヤーです。当社は炭化ケイ素層やエピタキシー半導体などの半導体産業に注力しています。当社の半導体装置用ガス入口リングは価格面での利点があり、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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製品説明

Semicorex 半導体装置用ガス入口リングは、高密度で耐摩耗性の炭化ケイ素 (SiC) コーティングである SiC コーティングが施されています。耐食性、耐熱性に優れ、熱伝導性にも優れています。化学気相成長 (CVD) プロセスを使用して、グラファイト上に SiC を薄層で塗布します。

当社の半導体装置用ガス入口リングは、最適な層流パターンを実現し、熱プロファイルの均一性を保証するように設計されています。これにより、汚染や不純物の拡散が防止され、ウェーハチップ上での高品質のエピタキシャル成長が保証されます。

半導体装置用ガス入口リングの詳細については、今すぐお問い合わせください。

半導体装置用ガス導入リングのパラメータ

CVD-SICコーティングの主な仕様
SiC-CVDの特性
結晶構造	FCC βフェーズ
密度	g/cm3	3.21
硬度	ビッカース硬さ	2500
粒度	μm	2~10
化学純度	%	99.99995
熱容量	J kg-1 K-1	640
昇華温度	℃	2700
感覚の強さ	MPa(室温4点)	415
ヤング率	Gpa (4pt曲げ、1300℃)	430
熱膨張 (C.T.E)	10-6K-1	4.5
熱伝導率	(W/mK)	300