Semicorex ウェハ処理用エンドエフェクタは、寸法が正確で、ウェハ処理に対して熱的に安定しています。当社は長年にわたり炭化ケイ素コーティング要素の製造および供給を行ってきました。当社の製品は価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場のほとんどをカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。
Semicorex ウェハハンドリング用エンドエフェクタは、寸法精度が高く熱的に安定していると同時に、滑らかで耐摩耗性の CVD SiC コーティング膜を備えているため、デバイスを損傷したり微粒子汚染を生成したりすることなくウェハを安全に取り扱うことができ、ウェハ処理装置とキャリア内の位置間で半導体ウェハを移動できます。正確かつ効率的に。当社の高純度シリコンカーバイド (SiC) コーティングを施したウェーハハンドリング用エンドエフェクタは、優れた耐熱性、均一な熱均一性を実現して、エピ層の厚さと抵抗を一定にし、耐久性のある耐薬品性を実現します。
Semicorex では、高品質でコスト効率の高い製品をお客様に提供することに重点を置いています。当社のウェーハハンドリング用エンドエフェクタは価格面での優位性があり、多くのヨーロッパおよびアメリカの市場に輸出されています。当社は、一貫した品質の製品と優れた顧客サービスを提供し、お客様の長期的なパートナーとなることを目指しています。
ウェハハンドリング用エンドエフェクタのパラメータ
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
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SiC-CVDの特性 |
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結晶構造 |
FCC βフェーズ |
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密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
粒度 |
μm |
2~10 |
化学純度 |
% |
99.99995 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
ウエハハンドリング用エンドエフェクタの特長
CVD法による高純度SiCコーティング
優れた耐熱性と均熱性
微細なSiC結晶コーティングにより滑らかな表面を実現
薬品洗浄に対する高い耐久性
ひび割れや剥離が起きにくい素材設計となっております。