Semicorex の半導体処理用耐久性フォーカス リングは、半導体処理で使用されるプラズマ エッチング チャンバーの極限環境に耐えるように設計されています。当社のフォーカス リングは、緻密で耐摩耗性の高い炭化ケイ素 (SiC) コーティングでコーティングされた高純度グラファイトでできています。 SiCコーティングは耐食性、耐熱性に優れ、熱伝導性にも優れています。フォーカス リングの耐用年数を向上させるために、化学蒸着 (CVD) プロセスを使用してグラファイト上に SiC を薄層で塗布します。
当社の半導体処理用の耐久性のあるフォーカス リングは、ウェーハのエッジや周囲のエッチングの均一性を向上させ、汚染や予定外のメンテナンスを最小限に抑えるように設計されています。これらは、急速熱アニーリング (RTA)、急速熱処理 (RTP)、および過酷な化学洗浄に対して非常に安定しています。
Semicorex では、半導体プロセス向けに高品質で費用対効果の高い耐久性のあるフォーカス リングを提供することに重点を置き、顧客満足度を優先し、費用対効果の高いソリューションを提供します。当社は、高品質の製品と優れた顧客サービスを提供する、お客様の長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。
半導体プロセス用の耐久性のあるフォーカス リングの詳細については、今すぐお問い合わせください。
半導体プロセス用耐久性フォーカスリングのパラメータ
CVD-SICコーティングの主な仕様 |
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SiC-CVDの特性 |
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結晶構造 |
FCC βフェーズ |
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密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
粒度 |
μm |
2~10 |
化学純度 |
% |
99.99995 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
熱膨張 (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
半導体プロセス用高耐久フォーカスリングの特長
●高純度グラファイトとSiCコーティングにより耐ピンホール性と長寿命を実現。
●グラファイト基板とSiC層はともに熱伝導率が高く、熱分布特性に優れています。
●SiCコーティングを薄層に施し、寿命を向上させます。