SiC コーティングは、化学蒸着 (CVD) プロセスを通じてサセプタ上に薄い層を形成します。炭化ケイ素材料は、破壊電界強度が 10 倍、バンドギャップが 3 倍であるなど、シリコンに比べて多くの利点をもたらし、材料に高温耐性、耐薬品性、優れた耐摩耗性、熱伝導性をもたらします。
Semicorex はカスタマイズされたサービスを提供し、耐久性の高いコンポーネントによる革新、サイクル タイムの短縮、歩留まりの向上を支援します。
SiC コーティングにはいくつかのユニークな利点があります
高温耐性: CVD SiC コーティングされたサセプターは、重大な熱劣化を受けることなく、最大 1600°C の高温に耐えることができます。
耐薬品性: 炭化ケイ素コーティングは、酸、アルカリ、有機溶剤などの幅広い化学薬品に対して優れた耐性を示します。
耐摩耗性: SiC コーティングにより、材料は優れた耐摩耗性を備えているため、摩耗や損傷が激しい用途に適しています。
熱伝導率: CVD SiC コーティングは材料に高い熱伝導率を提供し、効率的な熱伝達が必要な高温用途での使用に適しています。
高強度と剛性: 炭化ケイ素でコーティングされたサセプタは、材料に高い強度と剛性を提供し、高い機械的強度を必要とする用途に適しています。
SiCコーティングは様々な用途に使用されています
LED製造: CVD SiCコーティングされたサセプタは、その高い熱伝導率と耐薬品性により、青色および緑色LED、UV LED、深UV LEDを含むさまざまなタイプのLEDの製造プロセスに使用されます。
モバイル通信: CVD SiC コーティングされたサセプタは、GaN-on-SiC エピタキシャル プロセスを完了するための HEMT の重要な部分です。
半導体処理: CVD SiC コーティングされたサセプタは、半導体業界でウェーハ処理やエピタキシャル成長などのさまざまな用途に使用されています。
SiC コーティングされたグラファイトコンポーネント
炭化ケイ素コーティング (SiC) グラファイトで作られており、コーティングは CVD 法によって特定グレードの高密度グラファイトに適用されているため、不活性雰囲気では 3000 °C 以上、真空では 2200 °C 以上の高温炉で動作できます。 。
材料の特殊な特性と低質量により、速い加熱速度、均一な温度分布、および優れた制御精度が可能になります。
セミコレックスSiCコーティングの材料データ
代表的な特性 |
単位 |
価値観 |
構造 |
|
FCC βフェーズ |
向き |
割合(%) |
111 が望ましい |
かさ密度 |
g/cm3 |
3.21 |
硬度 |
ビッカース硬さ |
2500 |
熱容量 |
J kg-1 K-1 |
640 |
熱膨張 100 ~ 600 °C (212 ~ 1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
ヤング率 |
Gpa (4pt曲げ、1300℃) |
430 |
粒度 |
μm |
2~10 |
昇華温度 |
℃ |
2700 |
感覚の強さ |
MPa(室温4点) |
415 |
熱伝導率 |
(W/mK) |
300 |
結論 CVD SiC コーティングされたサセプタは、サセプタと炭化ケイ素の特性を組み合わせた複合材料です。この材料は、高温耐性、耐薬品性、優れた耐摩耗性、高い熱伝導率、高い強度と剛性などのユニークな特性を備えています。これらの特性により、半導体処理、化学処理、熱処理、太陽電池製造、LED 製造などのさまざまな高温用途にとって魅力的な材料となっています。
Semicorex MOCVD サテライト ホルダー プレートは、半導体産業で使用するために設計された優れたキャリアです。その高純度、優れた耐食性、均一な熱プロファイルにより、半導体製造プロセスの要求に耐えられるキャリアを探している人にとって優れた選択肢となります。当社は、お客様の特定の要件を満たす高品質の製品を提供することに尽力しています。当社の MOCVD サテライト ホルダー プレートの詳細と、当社がお客様の半導体製造のニーズをどのようにサポートできるかについては、今すぐお問い合わせください。
続きを読むお問い合わせを送信MOCVD用SiCコーティンググラファイト基板ウエハキャリアは当社の工場から安心してご購入いただけます。 Semicorex は、中国における SiC コーティングされたグラファイト サセプターの大規模製造業者およびサプライヤーです。当社の製品は価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカの市場の多くをカバーしています。当社は、お客様の特定の要件を満たす高品質の製品を提供するよう努めています。当社の MOCVD 用 SiC コーティング グラファイト基板ウェーハ キャリアは、半導体製造プロセス用の高性能キャリアをお探しの方に最適です。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex の MOCVD 用 SiC コーティンググラファイトベースサセプタは、半導体産業で使用される高品質のキャリアです。当社の製品は高品質の炭化ケイ素で設計されており、優れた性能と長期にわたる耐久性を実現します。このキャリアは、ウェーハチップ上にエピタキシャル層を成長させるプロセスでの使用に最適です。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex の MOCVD リアクター用サセプターは、炭化ケイ素層やエピタキシー半導体などのさまざまな用途の半導体産業で使用される高品質の製品です。当社の製品はギア形状とリング形状があり、耐高温酸化性を実現するように設計されており、1600℃までの温度で安定しています。
続きを読むお問い合わせを送信当社の工場からシリコンエピタキシーサセプタを安心して購入できます。 Semicorex のシリコン エピタキシー サセプタは、半導体業界でウェーハ チップのエピタキシャル成長に使用される高品質、高純度の製品です。当社の製品は優れたコーティング技術により、あらゆる表面にコーティングが存在し、剥がれを防ぎます。この製品は 1600°C までの高温でも安定しているため、過酷な環境での使用に適しています。
続きを読むお問い合わせを送信Semicorex は、MOCVD 用 SiC サセプタの大手メーカーおよびサプライヤーです。当社の製品は、ウェーハチップ上にエピタキシャル層を成長させる際の半導体業界のニーズを満たすように特別に設計されています。この製品はMOCVDのセンタープレートとして使用され、ギアまたはリング状のデザインが施されています。高い耐熱性と耐腐食性を備えており、過酷な環境での使用に最適です。
続きを読むお問い合わせを送信