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中国 炭化ケイ素コーティング メーカー、サプライヤー、工場

SiC コーティングは、化学蒸着 (CVD) プロセスを通じてサセプタ上に薄い層を形成します。炭化ケイ素材料は、破壊電界強度が 10 倍、バンドギャップが 3 倍であるなど、シリコンに比べて多くの利点をもたらし、材料に高温耐性、耐薬品性、優れた耐摩耗性、熱伝導性をもたらします。

Semicorex はカスタマイズされたサービスを提供し、耐久性の高いコンポーネントによる革新、サイクル タイムの短縮、歩留まりの向上を支援します。


SiC コーティングにはいくつかのユニークな利点があります

高温耐性: CVD SiC コーティングされたサセプターは、重大な熱劣化を受けることなく、最大 1600°C の高温に耐えることができます。

耐薬品性: 炭化ケイ素コーティングは、酸、アルカリ、有機溶剤などの幅広い化学薬品に対して優れた耐性を示します。

耐摩耗性: SiC コーティングにより、材料は優れた耐摩耗性を備えているため、摩耗や損傷が激しい用途に適しています。

熱伝導率: CVD SiC コーティングは材料に高い熱伝導率を提供し、効率的な熱伝達が必要な高温用途での使用に適しています。

高強度と剛性: 炭化ケイ素でコーティングされたサセプタは、材料に高い強度と剛性を提供し、高い機械的強度を必要とする用途に適しています。


SiCコーティングは様々な用途に使用されています

LED製造: CVD SiCコーティングされたサセプタは、その高い熱伝導率と耐薬品性に​​より、青色および緑色LED、UV LED、深UV LEDを含むさまざまなタイプのLEDの製造プロセスに使用されます。



モバイル通信: CVD SiC コーティングされたサセプタは、GaN-on-SiC エピタキシャル プロセスを完了するための HEMT の重要な部分です。



半導体処理: CVD SiC コーティングされたサセプタは、半導体業界でウェーハ処理やエピタキシャル成長などのさまざまな用途に使用されています。





SiC コーティングされたグラファイトコンポーネント

炭化ケイ素コーティング (SiC) グラファイトで作られており、コーティングは CVD 法によって特定グレードの高密度グラファイトに適用されているため、不活性雰囲気では 3000 °C 以上、真空では 2200 °C 以上の高温炉で動作できます。 。

材料の特殊な特性と低質量により、速い加熱速度、均一な温度分布、および優れた制御精度が可能になります。


セミコレックスSiCコーティングの材料データ

代表的な特性

単位

価値観

構造


FCC βフェーズ

向き

割合(%)

111 が望ましい

かさ密度

g/cm3

3.21

硬度

ビッカース硬さ

2500

熱容量

J kg-1 K-1

640

熱膨張 100 ~ 600 °C (212 ~ 1112 °F)

10-6K-1

4.5

ヤング率

Gpa (4pt曲げ、1300℃)

430

粒度

μm

2~10

昇華温度

2700

感覚の強さ

MPa(室温4点)

415

熱伝導率

(W/mK)

300


結論 CVD SiC コーティングされたサセプタは、サセプタと炭化ケイ素の特性を組み合わせた複合材料です。この材料は、高温耐性、耐薬品性、優れた耐摩耗性、高い熱伝導率、高い強度と剛性などのユニークな特性を備えています。これらの特性により、半導体処理、化学処理、熱処理、太陽電池製造、LED 製造などのさまざまな高温用途にとって魅力的な材料となっています。






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MOCVD用炭化ケイ素コーティンググラファイトサセプタ

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SiC コーティング MOCVD グラファイト サテライト プラットフォーム

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ウェーハエピタキシー用MOCVDカバースターディスクプレート

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エピタキシャル成長用MOCVDサセプタ

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SiC コーティング MOCVD サセプタ

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Semicorex は、SiC コーティング MOCVD サセプタの大手メーカーおよびサプライヤーです。当社の製品は、ウェハチップ上にエピタキシャル層を成長させる半導体産業向けに特別に設計されています。高純度の炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトキャリアは、ギアまたはリング状のデザインで、MOCVD のセンタープレートとして使用されます。当社のサセプタは MOCVD 装置で広く使用されており、高い耐熱性と耐腐食性、および極限環境における優れた安定性を保証します。

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MOCVD用SiCコーティンググラファイトサセプタ

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