半導体受信機

高品質のグラファイトから作られたサセプター セミコンダクターは、最適な熱伝導率を確保し、ウェーハのエピタキシャル プロセスに安定した信頼性の高い環境を提供します。

サセプタ半導体は化学蒸着 (CVD) 炭化ケイ素 (SiC) コーティングで強化されており、耐久性と極端な温度に対する耐性が強化されています。この高度なコーティングは、最も要求の厳しい炉環境でも一貫したパフォーマンスを保証します。

グラファイトと CVD SiC の組み合わせにより効率的な熱分布が保証され、ウェーハ表面全体の温度変動が最小限に抑えられます。これにより均一なエピタキシャル成長が実現され、最終的には半導体デバイスの品質と歩留まりが向上します。

サセプタ半導体は、さまざまな炉システムにシームレスに統合できるように設計されており、さまざまな製造セットアップに多用途性と適応性を提供します。その設計により、さまざまな半導体製造環境での簡単な設置と信頼性の高い動作が可能になります。

このサセプタ半導体は、ウェーハエピタキシャルプロセス用に特別に設計されており、炉内でウェーハを安全に搬送するのに優れています。その堅牢な構造により、ウェーハを確実に配置し、エピタキシャル成長段階での損傷のリスクを最小限に抑えます。

耐久性のあるグラファイトコアと SiC コーティングを組み合わせることで、性能が向上するだけでなく、サセプタ半導体の寿命も延長されます。この長寿命は長期にわたるコスト削減につながり、サセプター セミコンダクターは半導体製造施設にとって賢明な投資となります。