SiC ALD 受容体

セミコレックスのメリットSiC ALD 受容体:

高温安定性:SiC ALD サセプタは、高温 (最大 1600°C) で構造の完全性を維持するため、電気的特性が向上したより緻密な膜をもたらす高温 ALD プロセスが可能になります。

化学的不活性度:SiC ALD サセプタは、ALD で使用される幅広い化学薬品や前駆体に対して優れた耐性を示し、汚染のリスクを最小限に抑え、一貫した膜品質を保証します。

均一な温度分布:SiC ALD サセプタの高い熱伝導率は、サセプタ表面全体の均一な温度分布を促進し、均一な膜堆積とデバイス性能の向上につながります。

低アウトガス:SiC はガス放出特性が低いため、高温でも不純物の放出が最小限に抑えられます。これは、クリーンな処理環境を維持し、堆積膜の汚染を防ぐために非常に重要です。

プラズマ耐性:SiC はプラズマ エッチングに対して優れた耐性を示し、プラズマ強化 ALD (PEALD) プロセスと互換性があります。

長寿命:SiC ALD サセプタの耐久性と耐磨耗性は、サセプタの寿命を延ばし、頻繁な交換の必要性を減らし、全体的な運用コストを削減します。

ALD と CVD の比較:

原子層堆積 (ALD) と化学気相堆積 (CVD) はどちらも、独特の特徴を備えた広く使用されている薄膜堆積技術です。特定のアプリケーションに最適な方法を選択するには、それらの違いを理解することが重要です。

ALD と CVD

ALD の主な利点:

優れた厚み制御と均一性:原子レベルの精度と複雑な形状のコンフォーマルコーティングを必要とするアプリケーションに最適です。

低温処理:温度に敏感な基板への蒸着と幅広い材料選択が可能になります。

高いフィルム品質:Results in dense, pinhole-free films with low impurities.

CVD の主な利点:

より高い堆積速度:より速い成膜速度とより厚い膜を必要とするアプリケーションに適しています。

低コスト:大面積の蒸着や要求の少ない用途では、よりコスト効率が高くなります。

多用途性:金属、半導体、絶縁体など幅広い材料を成膜できます。

薄膜形成法の比較