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MOCVD用SiCグラファイトRTPキャリアプレート

MOCVD 用 Semicorex SiC グラファイト RTP キャリアプレートは、優れた耐熱性と熱均一性を備え、半導体ウェーハ処理用途に最適なソリューションです。高品質の SiC コーティングされたグラファイトを使用したこの製品は、エピタキシャル成長のための最も過酷な堆積環境に耐えるように設計されています。高い熱伝導率と優れた熱分布特性により、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄において信頼性の高いパフォーマンスが保証されます。

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エピタキシャル成長用のSiCコーティングRTPキャリアプレート

Semicorex エピタキシャル成長用 SiC コーティング RTP キャリアプレートは、半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適なソリューションです。グラファイトやセラミックスなどの表面にMOCVD法で加工した高品質なカーボングラファイトサセプタと石英るつぼを備えており、ウェーハハンドリングやエピタキシャル成長処理に最適です。 SiC コーティングされたキャリアは高い熱伝導率と優れた熱分布特性を保証し、RTA、RTP、または過酷な化学洗浄に信頼できる選択肢となります。

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RTP RTA SiC コーティングキャリア

Semicorex は、中国における炭化ケイ素コーティングされたグラファイトサセプタの大規模メーカーおよびサプライヤーです。 Semicorex グラファイトサセプタは、中国で高い耐熱性と耐腐食性を備えたエピタキシー装置用に特別に設計されました。当社の RTP RTA SiC コーティングキャリアは価格面で優れており、ヨーロッパおよびアメリカ市場の多くをカバーしています。私たちはあなたの長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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MOCVDエピタキシャル成長用RTPキャリア

MOCVD エピタキシャル成長用 Semicorex RTP キャリアは、エピタキシャル成長やウェーハハンドリング処理などの半導体ウェーハ処理アプリケーションに最適です。カーボングラファイトサセプタおよび石英るつぼは、グラファイト、セラミックスなどの表面にMOCVDによって加工されます。当社の製品は価格面での優位性があり、ヨーロッパおよびアメリカの多くの市場をカバーしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを楽しみにしています。

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SiC コーティングされた ICP コンポーネント

Semicorex の SiC コーティング ICP コンポーネントは、エピタキシーや MOCVD などの高温ウェーハハンドリングプロセス向けに特別に設計されています。微細な SiC 結晶コーティングを施した当社のキャリアは、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を備えています。

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プラズマエッチングチャンバー用の高温SiCコーティング

エピタキシーや MOCVD などのウェーハハンドリングプロセスに関しては、Semicorex のプラズマエッチングチャンバー用高温 SiC コーティングが第一の選択肢です。当社のキャリアは、微細な SiC 結晶コーティングにより、優れた耐熱性、均一な熱均一性、耐久性のある耐薬品性を備えています。

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